[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710075746.2
• 申請(qǐng)日: 2017-02-13
• 公開（公告）號(hào): CN107086266B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許萬(wàn)優(yōu)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/54
• 分類號(hào): H01L33/54;H01L25/075
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，包括：

襯底；

襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件；以及

覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光器件的密封層，

其中，密封層包括：

多個(gè)環(huán)形部分，在平面圖中從襯底的邊緣向襯底的中心順序地布置所述多個(gè)環(huán)形部分，以及

中心部分，所述多個(gè)環(huán)形部分中的最里面的一個(gè)環(huán)形部分環(huán)繞所述中心部分，并且

其中，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件還包括：壩結(jié)構(gòu)，其沿著所述多個(gè)環(huán)形部分中的最外面的一個(gè)環(huán)形部分的外側(cè)壁延伸，所述壩結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上透明。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分和所述多個(gè)環(huán)形部分中的每一個(gè)具有在遠(yuǎn)離襯底的方向上凸出地突起的上凸部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分距襯底的頂表面的高度大于所述多個(gè)環(huán)形部分的每一個(gè)距襯底的頂表面的高度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分的直徑大于所述多個(gè)環(huán)形部分的每一個(gè)的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分距襯底的頂表面的高度與所述多個(gè)環(huán)形部分的每一個(gè)距襯底的頂表面的高度實(shí)質(zhì)上相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，密封層包括熒光物質(zhì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，密封層包括：

與半導(dǎo)體發(fā)光器件接觸的第一層；以及

與半導(dǎo)體發(fā)光器件間隔開的第二層，所述第一層介于所述第二層與半導(dǎo)體發(fā)光器件之間，并且所述第二層包括其觸變性大于構(gòu)成所述第一層的材料的觸變性的材料，

其中，所述第一層和所述第二層中的至少一個(gè)包括熒光物質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，還包括金屬堆疊圖案，其設(shè)置在襯底上并且限定在其上設(shè)置有密封層的發(fā)光區(qū)，

其中，金屬堆疊圖案包括電連接至半導(dǎo)體發(fā)光器件的電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述多個(gè)環(huán)形部分的寬度實(shí)質(zhì)上相同。

10.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，包括：

襯底；

襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件；以及

覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光器件的密封層，

其中，密封層包括在遠(yuǎn)離襯底的方向上凸出地突起的凸部，

其中，凸部包括在平面圖中構(gòu)成同心圓的頂點(diǎn)，并且

所述半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件還包括：壩結(jié)構(gòu)，其沿著所述密封層的外側(cè)壁延伸，所述壩結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上透明。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，密封層包括：

多個(gè)環(huán)形部分，在平面圖中從襯底的邊緣向襯底的中心順序地布置所述多個(gè)環(huán)形部分，以及

中心部分，所述多個(gè)環(huán)形部分中的最里面的一個(gè)環(huán)形部分環(huán)繞所述中心部分，

其中，所述凸部為環(huán)形部分和中心部分的上部。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分距襯底的頂表面的高度大于所述多個(gè)環(huán)形部分的每一個(gè)距襯底的頂表面的高度。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分的直徑大于所述多個(gè)環(huán)形部分的每一個(gè)的寬度。