[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710075746.2 | 申請日： | 2017-02-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107086266B | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 許萬優(yōu) | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/54 | 分類號(hào)： | H01L33/54;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 張帆;張青 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，包括：
襯底；
襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件；以及
覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光器件的密封層，
其中，密封層包括：
多個(gè)環(huán)形部分，在平面圖中從襯底的邊緣向襯底的中心順序地布置所述多個(gè)環(huán)形部分，以及
中心部分，所述多個(gè)環(huán)形部分中的最里面的一個(gè)環(huán)形部分環(huán)繞所述中心部分，并且
其中，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件還包括：壩結(jié)構(gòu)，其沿著所述多個(gè)環(huán)形部分中的最外面的一個(gè)環(huán)形部分的外側(cè)壁延伸，所述壩結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上透明。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分和所述多個(gè)環(huán)形部分中的每一個(gè)具有在遠(yuǎn)離襯底的方向上凸出地突起的上凸部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分距襯底的頂表面的高度大于所述多個(gè)環(huán)形部分的每一個(gè)距襯底的頂表面的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分的直徑大于所述多個(gè)環(huán)形部分的每一個(gè)的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分距襯底的頂表面的高度與所述多個(gè)環(huán)形部分的每一個(gè)距襯底的頂表面的高度實(shí)質(zhì)上相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，密封層包括熒光物質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，密封層包括：
與半導(dǎo)體發(fā)光器件接觸的第一層；以及
與半導(dǎo)體發(fā)光器件間隔開的第二層，所述第一層介于所述第二層與半導(dǎo)體發(fā)光器件之間，并且所述第二層包括其觸變性大于構(gòu)成所述第一層的材料的觸變性的材料，
其中，所述第一層和所述第二層中的至少一個(gè)包括熒光物質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，還包括金屬堆疊圖案，其設(shè)置在襯底上并且限定在其上設(shè)置有密封層的發(fā)光區(qū)，
其中，金屬堆疊圖案包括電連接至半導(dǎo)體發(fā)光器件的電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述多個(gè)環(huán)形部分的寬度實(shí)質(zhì)上相同。
10.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，包括：
襯底；
襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件；以及
覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光器件的密封層，
其中，密封層包括在遠(yuǎn)離襯底的方向上凸出地突起的凸部，
其中，凸部包括在平面圖中構(gòu)成同心圓的頂點(diǎn)，并且
所述半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件還包括：壩結(jié)構(gòu)，其沿著所述密封層的外側(cè)壁延伸，所述壩結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上透明。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，密封層包括：
多個(gè)環(huán)形部分，在平面圖中從襯底的邊緣向襯底的中心順序地布置所述多個(gè)環(huán)形部分，以及
中心部分，所述多個(gè)環(huán)形部分中的最里面的一個(gè)環(huán)形部分環(huán)繞所述中心部分，
其中，所述凸部為環(huán)形部分和中心部分的上部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分距襯底的頂表面的高度大于所述多個(gè)環(huán)形部分的每一個(gè)距襯底的頂表面的高度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述中心部分的直徑大于所述多個(gè)環(huán)形部分的每一個(gè)的寬度。
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