[發(fā)明專利]電子元件及其制法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710075566.4 | 申請日: | 2017-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN108346564B | 公開(公告)日: | 2021-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳培領(lǐng);林偉勝;江連成;朱育德 | 申請(專利權(quán))人: | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺灣臺中*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子元件 及其 制法 | ||
一種電子元件及其制法,該制法為于一包含有多個電子元件與設(shè)于該多個電子元件間的區(qū)隔部的基板中沿該區(qū)隔部進(jìn)行隱形切割,以于該區(qū)隔部中形成多個長度互不相同的隱形切割路徑,再沿該區(qū)隔部分離出多個電子元件。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)一種電子元件的制法,尤指一種電子元件的切單方法。
背景技術(shù)
近年來,伴隨著行動電話或平板等行動裝置,或透過記憶卡進(jìn)行資料存取的資訊記憶裝置的小型化與輕量化,而加速推進(jìn)組裝于上述裝置的半導(dǎo)體晶片的薄型化。
另外,傳統(tǒng)于半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行切單制程中,使用刀片切割半導(dǎo)體晶圓以獲得多個半導(dǎo)體晶片,惟因半導(dǎo)體晶圓較薄,此切割方式容易產(chǎn)生碎屑,同時降低該半導(dǎo)體晶片的抗折強度。
再者,從提高半導(dǎo)體裝置的運作速度的觀點來看,作為半導(dǎo)體晶片的配線層間的絕緣膜,雖然有使用介電率比氧化硅更低的介電膜的產(chǎn)品,但是介電率低的介電膜較脆,因而易剝落或內(nèi)部會有少許氣泡,導(dǎo)致于切割作業(yè)時刀片不易將其切斷。
因此,業(yè)界遂發(fā)展出隱形切割(Stealth Dicing),以避免上述問題。
如圖1A所示,所述的隱形切割方式通過于一具有半導(dǎo)體晶片10的半導(dǎo)體晶圓1將激光7以相同路徑長度沿各該半導(dǎo)體晶片10之間的區(qū)隔部S照射該半導(dǎo)體晶圓1內(nèi)部以破壞其內(nèi)部結(jié)構(gòu)而形成變質(zhì)層,再利用該變質(zhì)層作為分割路徑來切斷該半導(dǎo)體晶圓1,以分離各該半導(dǎo)體晶片10。
一般而言,于切單制程中,若現(xiàn)有半導(dǎo)體晶圓1的各該半導(dǎo)體晶片10的尺寸均相同時,采用隱形切割方式進(jìn)行切單并無特殊問題。
然而,如圖1B所示,若相鄰接的半導(dǎo)體晶片10,11的尺寸不相同時,則于進(jìn)行隱形切割的過程中會產(chǎn)生激光7的散射,故于靠近各該半導(dǎo)體晶片10,11的交界處,尺寸大的半導(dǎo)體晶片11的作用面1a會受該散射的影響,因而導(dǎo)致其作用面1a損壞(Damage),如圖1B所示的損壞處k。
因此,如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的問題,實已成為目前業(yè)界亟待克服的難題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失,本發(fā)明提供一種電子元件及其制法,能避免激光的散射受該鄰近區(qū)隔部的隱形切割路徑的影響而造成電子元件的作用面損壞。
本發(fā)明的電子元件的制法,包括:提供一具有相對的第一表面與第二表面的基板,其中,該基板包含有多個電子元件與布設(shè)于該多個電子元件之間的多個區(qū)隔部;對應(yīng)該多個區(qū)隔部位置進(jìn)行隱形切割,其中,該隱形切割為于單一該區(qū)隔部中形成多個隱形切割路徑,且至少二該隱形切割路徑的長度不相同;以及沿該多個區(qū)隔部分離各該電子元件。
前述的制法中,還包括于進(jìn)行隱形切割前,自該基板的第一表面形成溝槽于該區(qū)隔部上,其中,該溝槽未貫穿該基板中。
前述的制法中,至少二該電子元件的尺寸不同。
前述的制法中,該多個區(qū)隔部的布設(shè)呈T形。
前述的制法中,該隱形切割路徑的長度大小對應(yīng)其距離該第一表面遠(yuǎn)近的位置。例如,該隱形切割路徑于靠近該第一表面的長度小于該隱形切割路徑遠(yuǎn)離該第一表面的長度。
前述的制法中,該電子元件具有對應(yīng)的作用面與非作用面,以及鄰接該作用面與非作用面的側(cè)面,其中,該作用面對應(yīng)該基板的第一表面,該非作用面對應(yīng)該基板的第二表面,該側(cè)面包含有相鄰接的光滑區(qū)域與粗糙區(qū)域。例如,該粗糙區(qū)域呈現(xiàn)該多個隱形切割路徑的痕跡,而該光滑區(qū)域并未形成有該隱形切割路徑的痕跡。
本發(fā)明還提供一種電子元件,其具有相對的作用面與非作用面及至少一鄰接該作用面與非作用面的側(cè)面,且至少一該側(cè)面定義有相鄰接的光滑區(qū)域與粗糙區(qū)域,其中,該粗糙區(qū)域呈現(xiàn)隱形切割路徑的痕跡,而該光滑區(qū)域并未形成有該隱形切割路徑的痕跡。
前述的電子元件中,該粗糙區(qū)域的范圍呈梯形輪廓。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





