[發(fā)明專利]一種集成電路設(shè)計方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710075416.3 | 申請日: | 2017-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN106847806A | 公開(公告)日: | 2017-06-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭陽;陳書明;劉祥遠(yuǎn);劉浩;李振濤;孫永節(jié);陳躍躍;胡春媚;劉必慰;池雅慶;陳建軍 | 申請(專利權(quán))人: | 中國人民解放軍國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成電路設(shè)計 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種集成電路設(shè)計方法。
背景技術(shù)
大部分集成電路的內(nèi)部都可以分為兩個主要區(qū)域:內(nèi)核區(qū)域和IO(輸入/輸出)區(qū)域,其中IO區(qū)域給集成電路的內(nèi)核區(qū)域和外部電路提供了電氣接口。
現(xiàn)今大部分集成電路都是通過EDA(Electronic Design Automation,電子設(shè)計自動化)軟件,采用模塊化的電路描述庫進(jìn)行設(shè)計的。這些模塊化的電路描述通常包含邏輯描述和物理描述。集成電路的內(nèi)核區(qū)域可以包含各種各樣的邏輯、存儲或者處理器模塊,這些模塊一部分還可能使用的是IP(Intellectual Property,知識產(chǎn)權(quán))核,或者是通過全定制設(shè)計的,因而內(nèi)核區(qū)域的數(shù)字和模擬電路功能十分多樣。然而在集成電路的IO區(qū)域,各模塊的功能更加趨于相同,因而有一系列的IO單元成為標(biāo)準(zhǔn)庫,并且被應(yīng)用于許多不同的集成電路設(shè)計中。因此,集成電路設(shè)計的一個特點(diǎn)是在大多集成電路的某些部分,特別是IO區(qū)域使用現(xiàn)有的庫單元和標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計流程進(jìn)行設(shè)計,且常用的庫單元都可以從供應(yīng)商處獲取。
IO區(qū)域經(jīng)常被稱為IO環(huán),因為它包含許多側(cè)面相連的IO單元,形成了一個連續(xù)的矩形環(huán),圍在內(nèi)核區(qū)域的周圍。這種IO單元的側(cè)面連接成IO環(huán)的方式可以對IO單元和內(nèi)核的電源進(jìn)行有效的分配,同時減小噪聲并加強(qiáng)ESD(Electro-Static discharge,靜電釋放)保護(hù)。IO單元內(nèi)部一般同時包含高供電電壓的外部信號和低供電電壓的核內(nèi)信號之間的接口電路。IO單元通常被連接到鍵合焊盤上,然后鍵合焊盤再通過鍵合線連接到芯片封裝的管腳,或者直接連接到與封裝相連的焊盤上。
倒裝芯片是半導(dǎo)體集成電路封裝技術(shù)的一種,它利用重布線層將相應(yīng)的IO單元與位于芯片上面的焊盤連接起來,具有非常靈活的IO單元擺放方式,和更小的寄生效應(yīng),因而可以達(dá)到很高的性能。與傳統(tǒng)引線鍵合工藝相比倒裝芯片具有許多明顯的優(yōu)點(diǎn),包括:優(yōu)越的電學(xué)和熱學(xué)性能,高IO引腳數(shù)目,封裝尺寸減小等。
集成電路的成本隨著集成電路的面積而增加,因此人們對于減小集成電路的面積有非常強(qiáng)烈的動機(jī)。大部分集成電路的面積由IO環(huán)包圍的面積或者內(nèi)核區(qū)域的面積確定,當(dāng)IO環(huán)圍城的區(qū)域面積(與IO單元的數(shù)目和大小有關(guān))超過了內(nèi)核區(qū)域面積時,芯片就被認(rèn)為是輸入/輸出引腳限制IO limited或者焊盤限制pad limited的。在這種情況下芯片會浪費(fèi)部分核內(nèi)面積。而當(dāng)芯片核內(nèi)面積大于IO環(huán)的所圍區(qū)域面積時,芯片就被認(rèn)為是內(nèi)核限制core limited的。在這種情況下,IO環(huán)需要被擴(kuò)大后圍繞在內(nèi)核區(qū)域四周,而這種情況下會增加IO環(huán)占用的面積。
為了提高芯片的利用率,在IO limited的設(shè)計中,可以考慮采用雙環(huán)結(jié)構(gòu)的IO擺放方式。采用IO環(huán)雙環(huán)需考慮的問題主要有:外環(huán)信號與核內(nèi)信號的布線通道預(yù)留,內(nèi)外環(huán)之間電源的連接以及IO與焊盤的連接問題。
現(xiàn)有技術(shù)中關(guān)于IO雙環(huán)或IO區(qū)域的技術(shù)有(1)采用IO雙環(huán)結(jié)構(gòu),其內(nèi)側(cè)的IO環(huán)為了給外側(cè)的IO環(huán)預(yù)留走線通道,使得內(nèi)側(cè)IO環(huán)上的單元是分離的,需手動連接來形成完整的電源環(huán)結(jié)構(gòu),并且采用的是引線鍵合式的封裝,只適合IO數(shù)目較少的設(shè)計;(2)采用一種多IO區(qū)域的IO擺放方式支持大量的IO單元,但是由于單元是分離的,沒有采用IO環(huán)所帶來的優(yōu)勢;(3)采用IO雙環(huán)結(jié)構(gòu)設(shè)計方式,但是沒有提出給外側(cè)IO預(yù)留走線通道,需要進(jìn)行大量的手動連線工作,且采用的是引線鍵合式封裝,只適合IO數(shù)目較少的設(shè)計;(4)采用一種具有多個IO區(qū)域的集成電路,通過在原有IO庫的基礎(chǔ)上添加新的IO單元實(shí)現(xiàn)將外部IO信號通過內(nèi)部IO環(huán)傳遞到芯片核內(nèi),并且實(shí)現(xiàn)了內(nèi)外兩個IO環(huán)的電源的連接,但是沒有給出采用倒裝芯片封裝是IO與焊盤的具體連接方式,且引入了大量的新單元,增加了設(shè)計的難度;(5)采用一種IO雙環(huán)的集成電路設(shè)計方式,但是其電平轉(zhuǎn)換電路與IO單元分離,需設(shè)計新的電平轉(zhuǎn)換單元,無法直接采用現(xiàn)有的IO庫,增加了設(shè)計的復(fù)雜度。
由上述可知,現(xiàn)有技術(shù)中關(guān)于IO區(qū)域或IO雙環(huán)的技術(shù)都不能解決芯片利用率低這一問題,因此,現(xiàn)有技術(shù)都不能解決提高芯片利用率的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片利用率低的問題。為解決上述問題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種集成電路設(shè)計方法,使用該設(shè)計方法解決現(xiàn)有技術(shù)中集成電路芯片利用率低的問題。
有鑒于此,本發(fā)明提供一種集成電路設(shè)計方法,可包括:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





