[發(fā)明專利]一種集成電路設(shè)計方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710075416.3 | 申請日: | 2017-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN106847806A | 公開(公告)日: | 2017-06-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭陽;陳書明;劉祥遠;劉浩;李振濤;孫永節(jié);陳躍躍;胡春媚;劉必慰;池雅慶;陳建軍 | 申請(專利權(quán))人: | 中國人民解放軍國防科學技術(shù)大學 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11444 | 代理人: | 王剛,龔敏 |
| 地址: | 410073 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成電路設(shè)計 方法 | ||
1.一種集成電路設(shè)計方法,其特征在于,所述方法包括:
圍繞內(nèi)核區(qū)域,設(shè)置第一IO單元區(qū)域和第二IO單元區(qū)域,且所述第一IO單元區(qū)域圍繞所述內(nèi)核區(qū)域排布,所述第二IO單元區(qū)域圍繞所述第一IO單元區(qū)域排布;
根據(jù)IO單元中的信號IO單元的信號頻率,確定排布在所述第一IO單元區(qū)域的各信號IO單元的位置,以及確定排布在所述第二IO單元區(qū)域的各信號IO單元的位置;
確定IO單元中給所述內(nèi)核區(qū)域供電的電源IO單元的數(shù)量,以及確定IO單元中給所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域供電的電源IO單元的數(shù)量;
根據(jù)給所述內(nèi)核區(qū)域供電的電源IO單元的數(shù)量,圍繞所述內(nèi)核單元,將給所述內(nèi)核區(qū)域供電的電源IO單元均勻排布在所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域,以及,根據(jù)給所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域供電的電源IO單元的數(shù)量,圍繞所述內(nèi)核單元,將給所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域供電的電源IO單元均勻排布在所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域,其中,在對給所述內(nèi)核區(qū)域供電的電源IO單元和給所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域供電的電源IO單元進行排布時,給所述內(nèi)核區(qū)域供電的電源IO單元的排布位置和給所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域供電的電源IO單元的排布位置不重疊;
根據(jù)排布在所述第一IO單元區(qū)域的各信號IO單元的位置和排布在所述第二IO單元區(qū)域的各信號IO單元的位置,規(guī)劃封裝陣列;
所述封裝陣列規(guī)劃完成后,規(guī)劃重布線層的走線,使得所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域與所述封裝陣列連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述根據(jù)IO單元中的信號IO單元的信號頻率,確定排布在所述第一IO單元區(qū)域的各信號IO單元的位置,以及確定排布在所述第二IO單元區(qū)域的各信號IO單元的位置之前,還包括:
確定IO單元中的信號IO單元的信號頻率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述確定IO單元中給所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域供電的電源IO單元的數(shù)量之前,還包括:
計算IO單元中的信號IO單元的同步開關(guān)噪聲。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述確定IO單元中給所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域供電的電源IO單元的數(shù)量,包括:
利用如下公式確定IO單元中給所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域供電的電源IO單元的數(shù)量:
其中,Ipad為IO單元中給所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域供電的電源IO單元的最大電流,k為調(diào)整因子,Vpad為IO單元中給所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域供電的電源IO單元的最大電壓,Pavg為給IO單元中所述第一IO單元區(qū)域和所述第二IO單元區(qū)域供電的電源IO單元的平均功率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,確定IO單元中給所述內(nèi)核區(qū)域供電的電源IO單元的數(shù)量,包括:
根據(jù)內(nèi)核功耗和IO單元中給所述內(nèi)核區(qū)域供電的電源IO單元的功率的比值,以作為IO單元中給所述內(nèi)核區(qū)域供電的電源IO單元的數(shù)量。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在規(guī)劃封裝陣列之前,還包括:
根據(jù)封裝的最小間距要求,確定封裝的數(shù)量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





