[發(fā)明專(zhuān)利]基于CH3NH3PbI3材料的P型雙向HHET器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710074139.4
• 申請(qǐng)日: 2017-02-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106876489B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈仁需;劉銀濤;汪鈺成;龐體強(qiáng);張玉明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/0216
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/0216;H01L31/0264;H01L31/18
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長(zhǎng)春

本發(fā)明涉及一種基于CH₃NH₃PbI₃材料的P型雙向HHET器件及其制備方法。該方法包括：在選取的襯底材料表面制作FTO導(dǎo)電玻璃；在所述FTO導(dǎo)電玻璃表面制作第一光吸收層；在所述第一光吸收層表面制作第一空穴傳輸層；在所述第一空穴傳輸層表面制作源漏電極；在整個(gè)襯底表面制作第二空穴傳輸層；在所述第二空穴傳輸層表面制備第二光吸收層；在所述第二光吸收層表面制作柵電極，最終形成所述雙向HHET器件。本發(fā)明通過(guò)采用對(duì)稱(chēng)的光吸收層，能吸收更多的光產(chǎn)生光生載流子，并采用在透明的藍(lán)寶石生長(zhǎng)透明的導(dǎo)電玻璃作為底部柵電極，能實(shí)現(xiàn)上下光照都能照射到光吸收層，且采用由CH₃NH₃PbI₃向溝道提供大量的空穴，提高遷移率高，增強(qiáng)傳輸特性和增加光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于CH₃NH₃PbI₃材料的 P型雙向HHET器件及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著電子技術(shù)的蓬勃發(fā)展，半導(dǎo)體集成電路對(duì)社會(huì)發(fā)展和國(guó)民經(jīng)濟(jì)所起的作用越來(lái)越大。而其中市場(chǎng)對(duì)光電高速器件的需求與日俱增，并對(duì)器件的性能不斷提出更高更細(xì)致的要求。為尋求突破，不管從工藝，材料還是結(jié)構(gòu)等方面的研究一直未有間斷。近年來(lái)，隨著可見(jiàn)光無(wú)線通訊技術(shù)以及電路耦合技術(shù)的崛起，市場(chǎng)對(duì)可見(jiàn)光波段的光電高空穴遷移率晶體(High Hole Mobility Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)HHET)管提出了新的要求。

有機(jī)/無(wú)機(jī)鈣鈦礦(CH₃NH₃PbI₃)的橫空出世，又給研究帶來(lái)了新的視角。有機(jī)/無(wú)機(jī)鈣鈦礦中的有機(jī)基團(tuán)和無(wú)機(jī)基團(tuán)的有序結(jié)合，得到了長(zhǎng)程有序的晶體結(jié)構(gòu)，并兼具了有機(jī)和無(wú)機(jī)材料的優(yōu)點(diǎn)。無(wú)機(jī)組分的高遷移率賦予了雜化鈣鈦礦良好的電學(xué)特性；有機(jī)組分的自組裝和成膜特性，使得雜化鈣鈦礦薄膜的制備工藝簡(jiǎn)單而且低成本，也能夠在室溫下進(jìn)行。雜化鈣鈦礦本身高的光吸收系數(shù)也是雜化鈣鈦礦能夠在光電材料中應(yīng)用的資本。

傳統(tǒng)的無(wú)機(jī)HHET高空穴遷移率晶體管都是屬于電能到電能的轉(zhuǎn)換，并不能滿足對(duì)可見(jiàn)光波段的光電高空穴遷移率晶體管的需求。因此，如何利用CH₃NH₃PbI₃材料的特性來(lái)制備P型光電HHET器件就變得極其重要。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種基于 CH₃NH₃PbI₃材料的N型雙向HHET器件及其制備方法。

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種基于CH₃NH₃PbI₃材料的P型雙向 HHET器件的制備方法，包括：

在選取的襯底材料表面制作FTO導(dǎo)電玻璃；

在所述FTO導(dǎo)電玻璃表面制作第一光吸收層；

在所述第一光吸收層表面制作第一空穴傳輸層；

在所述第一空穴傳輸層表面制作源漏電極；

在整個(gè)襯底表面制作第二空穴傳輸層；

在所述第二空穴傳輸層表面制備第二光吸收層；

在所述第二光吸收層表面制作柵電極，最終形成所述雙向HHET器件。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在選取的襯底材料表面制作導(dǎo)電玻璃薄膜，包括：

選取Al₂O₃材料作為所述襯底材料；

在所述Al₂O₃材料表面制作所述FTO導(dǎo)電玻璃。