[發明專利]基于CH3NH3PbI3材料的P型雙向HHET器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201710074139.4
• 申請日: 2017-02-10
• 公開（公告）號: CN106876489B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 賈仁需;劉銀濤;汪鈺成;龐體強;張玉明
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0264;H01L31/18
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種基于CH₃NH₃PbI₃材料的P型雙向高空穴遷移率晶體管器件的制備方法，其特征在于，包括：

在選取的襯底材料表面制作FTO導電玻璃；

在所述FTO導電玻璃表面制作第一光吸收層；

在所述第一光吸收層表面制作第一空穴傳輸層；

在所述第一空穴傳輸層表面制作源漏電極；

在整個襯底表面制作第二空穴傳輸層；

在所述第二空穴傳輸層表面制備第二光吸收層；

在所述第二光吸收層表面制作柵電極，最終形成所述雙向高空穴遷移率晶體管器件。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在選取的襯底材料表面制作導電玻璃薄膜，包括：

選取Al₂O₃材料作為所述襯底材料；

在所述Al₂O₃材料表面制作所述FTO導電玻璃。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述Al₂O₃材料表面制作所述FTO導電玻璃，包括：

將鈦酸四丁酯加入至二次蒸餾水中攪拌后獲取沉淀物；

將所述沉淀物加入二次蒸餾水和濃硝酸的混合液中攪拌后涂抹在所述襯底表面以形成所述FTO導電玻璃。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述FTO導電玻璃表面制作第一光吸收層，包括：

將PbI₂和CH₃NH₃I先后加入DMSO:GBL中并攪拌，靜置后形成CH₃NH₃PbI₃溶液；

將所述CH₃NH₃PbI₃溶液旋涂在所述FTO導電玻璃表面并通過退火工藝形成所述第一光吸收層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一光吸收層表面制作第一空穴傳輸層，包括：

配制氯苯溶液，并加入鋰鹽的乙腈溶液、四叔丁基吡啶和鈷鹽的乙腈溶液，常溫攪拌形成Spiro-OMeTAD溶液；

將所述Spiro-OMeTAD溶液滴加至所述第一光吸收層表面并旋涂形成所述第一空穴傳輸層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一空穴傳輸層表面制作源漏電極，包括：

采用Au材料作為靶材，在氬氣氣氛下，利用磁控濺射工藝，采用第一掩膜版在所述第一空穴傳輸層表面濺射Au材料以作為所述源漏電極。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在整個襯底表面制作第二空穴傳輸層，包括：

配制氯苯溶液，并加入鋰鹽的乙腈溶液、四叔丁基吡啶和鈷鹽的乙腈溶液，常溫攪拌形成Spiro-OMeTAD溶液；

將所述Spiro-OMeTAD溶液滴加至所述源漏電極及未被所述源漏電極覆蓋的所述第一空穴傳輸層表面并旋涂以形成所述第二空穴傳輸層。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二空穴傳輸層表面制備第二光吸收層，包括：

將PbI₂和CH₃NH₃I先后加入DMSO:GBL中并攪拌，靜置后形成CH₃NH₃PbI₃溶液；

利用單一涂抹法將所述CH₃NH₃PbI₃溶液旋涂在所述第二空穴傳輸層表面并通過退火工藝形成所述第二光吸收層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二光吸收層表面制作柵電極，包括：

采用Au材料作為靶材，在氬氣氣氛下，利用磁控濺射工藝，采用第二掩膜版在所述第二光吸收層表面濺射Au材料以作為所述柵電極。

10.一種基于CH₃NH₃PbI₃材料的P型雙向高空穴遷移率晶體管器件，其特征在于，所述雙向HHET器件由權利要求1-9任一項所述的方法制備形成。