[發(fā)明專利]SRAM存儲器及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710074019.4
• 申請日: 2017-02-10
• 公開（公告）號: CN108417537B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 甘正浩;馮軍宏
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244;H01L27/11
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

一種SRAM存儲器及其形成方法，其中方法包括：提供基底；形成傳輸晶體管，形成所述傳輸晶體管的方法包括：在所述基底上形成傳輸柵極結(jié)構(gòu)，傳輸柵極結(jié)構(gòu)底部的基底中具有溝道區(qū)，所述傳輸柵極結(jié)構(gòu)具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)；在所述傳輸柵極結(jié)構(gòu)第一側(cè)的基底中形成第一外延層，第一外延層對溝道區(qū)產(chǎn)生應(yīng)力，第一外延層的邊緣至傳輸柵極結(jié)構(gòu)的邊緣的最小距離為第一距離；在所述傳輸柵極結(jié)構(gòu)第二側(cè)的基底中形成第二外延層，第二外延層對溝道區(qū)產(chǎn)生應(yīng)力，第二外延層和第一外延層的材料相同，第二外延層的邊緣至傳輸柵極結(jié)構(gòu)的邊緣的最小距離為第二距離，所述第二距離大于第一距離。所述方法能夠提高SRAM存儲器的電學(xué)性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種SRAM存儲器及其形成方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，存儲器呈現(xiàn)出高集成度、快速、低功耗的發(fā)展趨勢。

從功能上將存儲器分為隨機存儲器(RAM，Random Access Memory)和只讀存儲器(ROM，Read Only Memory)。隨機存儲器工作時，可以隨時從任何一個指定的地址讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存儲單元。隨機存儲器的讀寫操作方便，使用靈活。

隨機存儲器可以分為靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(DRAM)。其中，靜態(tài)隨機存儲器利用帶有正反饋的觸發(fā)器來實現(xiàn)存儲數(shù)據(jù)，主要依靠持續(xù)的供電來保持數(shù)據(jù)的完整性。靜態(tài)隨機存儲器在使用過程中不需要刷新。靜態(tài)隨機存儲器已被廣泛應(yīng)用在計算機的高速緩存和頻繁的數(shù)據(jù)處理中。

然而，現(xiàn)有技術(shù)中靜態(tài)隨機存儲器的性能較差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種SRAM存儲器及其形成方法，以提高SRAM存儲器的電學(xué)性能。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種SRAM存儲器的形成方法，包括：提供基底；形成傳輸晶體管，形成所述傳輸晶體管的方法包括：在所述基底上形成傳輸柵極結(jié)構(gòu)，傳輸柵極結(jié)構(gòu)底部的基底中具有溝道區(qū)，所述傳輸柵極結(jié)構(gòu)具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)；在所述傳輸柵極結(jié)構(gòu)第一側(cè)的基底中形成第一外延層，第一外延層對溝道區(qū)產(chǎn)生應(yīng)力，第一外延層的邊緣至傳輸柵極結(jié)構(gòu)的邊緣的最小距離為第一距離；在所述傳輸柵極結(jié)構(gòu)第二側(cè)的基底中形成第二外延層，第二外延層對溝道區(qū)產(chǎn)生應(yīng)力，第二外延層和第一外延層的材料相同，第二外延層的邊緣至傳輸柵極結(jié)構(gòu)的邊緣的最小距離為第二距離，所述第二距離大于第一距離。

可選的，當所述傳輸晶體管的類型為N型時，所述第一外延層和所述第二外延層對溝道區(qū)產(chǎn)生拉應(yīng)力。

可選的，所述第一外延層和所述第二外延層的材料為摻磷的硅或者碳硅。

可選的，當所述傳輸晶體管的類型為P型時，所述第一外延層和所述第二外延層對溝道區(qū)產(chǎn)生壓應(yīng)力。

可選的，所述第一外延層和所述第二外延層的材料包括鍺硅。

可選的，所述第二距離與所述第一距離的差值為1納米～3納米。

可選的，形成所述第一外延層的方法包括：在所述傳輸柵極結(jié)構(gòu)第一側(cè)的基底中形成第一凹槽；采用第一外延生長工藝在第一凹槽中外延生長第一外延材料層，形成第一外延層；形成所述第二外延層的方法包括：在所述傳輸柵極結(jié)構(gòu)第二側(cè)的基底中形成第二凹槽；采用第二外延生長工藝在第二凹槽中外延生長第二外延材料層，形成第二外延層。

可選的，形成所述第一凹槽和第二凹槽后，進行所述第一外延生長工藝和第二外延生長工藝；所述第一外延生長工藝和所述第二外延生長工藝采用同一工藝。