[發明專利]SRAM存儲器及其形成方法

有效

• 申請號: 201710074019.4
• 申請日: 2017-02-10
• 公開（公告）號: CN108417537B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 甘正浩;馮軍宏
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244;H01L27/11
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

形成傳輸晶體管，形成所述傳輸晶體管的方法包括：

在所述基底上形成傳輸柵極結構，傳輸柵極結構底部的基底中具有溝道區，所述傳輸柵極結構具有相對的第一側和第二側；

在所述傳輸柵極結構第一側的基底中形成第一外延層，第一外延層對溝道區產生應力，第一外延層的邊緣至傳輸柵極結構的邊緣的最小距離為第一距離；

在所述傳輸柵極結構第二側的基底中形成第二外延層，第二外延層對溝道區產生應力，第二外延層和第一外延層的材料相同，第二外延層的邊緣至傳輸柵極結構的邊緣的最小距離為第二距離，所述第二距離大于第一距離；

將所述傳輸柵極結構第一側的第一外延層形成第一源漏摻雜區，將所述傳輸柵極結構第二側的第二外延層形成第二源漏摻雜區；

所述SRAM存儲器還包括：鎖存器，所述鎖存器包括上拉晶體管和下拉晶體管；在寫數據狀態時，所述上拉晶體管和下拉晶體管將數據通過所述傳輸晶體管存儲到鎖存器中，在讀數據狀態時，所述上拉晶體管和下拉晶體管將鎖存器中存儲的數據通過所述傳輸晶體管輸出；所述第二源漏摻雜區與所述鎖存器連接；

當所述SRAM存儲器處于讀數據狀態時，第一傳輸源漏區為傳輸晶體管的源區，第二傳輸源漏區為傳輸晶體管的漏區；當所述SRAM存儲器處于寫數據狀態時，所述第一傳輸源漏區為傳輸晶體管的漏區，所述第二傳輸源漏區為傳輸晶體管的源區。

2.根據權利要求1所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，當所述傳輸晶體管的類型為N型時，所述第一外延層和所述第二外延層對溝道區產生拉應力。

3.根據權利要求2所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一外延層和所述第二外延層的材料為摻磷的硅或者碳硅。

4.根據權利要求1所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，當所述傳輸晶體管的類型為P型時，所述第一外延層和所述第二外延層對溝道區產生壓應力。

5.根據權利要求4所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一外延層和所述第二外延層的材料包括鍺硅。

6.根據權利要求1所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，所述第二距離與所述第一距離的差值為1納米～3納米。

7.根據權利要求1所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述第一外延層的方法包括：在所述傳輸柵極結構第一側的基底中形成第一凹槽；采用第一外延生長工藝在第一凹槽中外延生長第一外延材料層，形成第一外延層；

形成所述第二外延層的方法包括：在所述傳輸柵極結構第二側的基底中形成第二凹槽；采用第二外延生長工藝在第二凹槽中外延生長第二外延材料層，形成第二外延層。

8.根據權利要求7所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽和第二凹槽后，進行所述第一外延生長工藝和第二外延生長工藝；所述第一外延生長工藝和所述第二外延生長工藝采用同一工藝。

9.根據權利要求7所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述傳輸晶體管的方法還包括：在外延生長所述第一外延材料層的同時，在所述第一外延材料層中原位摻雜源漏離子，在所述傳輸柵極結構第一側的基底中形成第一源漏摻雜區；在外延生長所述第二外延材料層的同時，在所述第二外延材料層中原位摻雜源漏離子，在所述傳輸柵極結構第二側的基底中形成第二源漏摻雜區；所述第一外延層位于所述第一源漏摻雜區中，所述第二外延層位于所述第二源漏摻雜區中。

10.根據權利要求1所述的SRAM存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述傳輸晶體管的方法還包括：在所述傳輸柵極結構第一側的第一外延層和基底中、以及所述傳輸柵極結構第二側的第二外延層和基底中注入源漏離子，在所述傳輸柵極結構第一側的基底中形成第一源漏摻雜區，在所述傳輸柵極結構第二側的基底中形成第二源漏摻雜區。