[發明專利]半導體結構及其形成方法、工作方法

有效

• 申請號: 201710073605.7
• 申請日: 2017-02-10
• 公開（公告）號: CN108417536B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 王鍇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括器件區和測試區；

在所述器件區和測試區襯底中形成第一阱區，所述第一阱區中具有第一阱離子；

在所述器件區和測試區襯底中形成第二阱區，所述第二阱區與所述第一阱區接觸，所述第二阱區中具有第二阱離子，所述第二阱離子與所述第一阱離子的導電類型相反；

分別在所述器件區和測試區的第一阱區中形成第一摻雜區，所述第一摻雜區中具有第一摻雜離子，所述第一摻雜離子與所述第一阱離子的導電類型相反；

分別在所述器件區和測試區的第二阱區中形成第二摻雜區，所述第二摻雜區中具有第二摻雜離子，所述第二摻雜離子與所述第二阱離子的導電類型相反。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：形成所述第一摻雜區之前，在所述器件區的第一阱區表面形成第一柵極結構；

在所述器件區的第一阱區中形成第三摻雜區，所述第三摻雜區和第一摻雜區分別位于同一個第一柵極結構兩側；

形成所述第二摻雜區之前，在所述器件區的第二阱區表面形成第二柵極結構；在所述器件區的第二阱區中形成第四摻雜區，所述第四摻雜區和第二摻雜區分別位于同一個第二柵極結構兩側。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：分別在所述器件區和測試區的第一阱區中形成第一連接層，所述第一連接層中具有第一連接離子，所述第一連接離子與所述第一阱離子的導電類型相同；分別在所述器件區和測試區的第二阱區中形成第二連接層，所述第二連接層中具有第二連接離子，所述第二連接離子與所述第二阱離子的導電類型相同。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述測試區中第一摻雜區的個數為單個或多個，所述測試區中第二摻雜區的個數為單個或多個；所述測試區的個數為一個或多個。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述器件區第一阱區中的第一阱離子的濃度與所述測試區第一阱區中的第一阱離子的濃度相同；所述器件區第二阱區中的第二阱離子與所述測試區第二阱區中的第二阱離子的濃度相同。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：形成連接所述第一摻雜區的第一連接結構；形成連接所述第二摻雜區的第二連接結構。

7.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括器件區和測試區；

位于所述器件區和測試區襯底中的第一阱區，所述第一阱區中具有第一阱離子；

位于所述器件區和測試區襯底中的第二阱區，所述第二阱區與所述第一阱區接觸，所述第二阱區中具有第二阱離子，所述第二阱離子與所述第一阱離子的導電類型相反；

分別位于所述器件區和測試區的第一阱區中的第一摻雜區，所述第一摻雜區中具有第一摻雜離子，所述第一摻雜離子與所述第一阱離子的導電類型相反；

分別位于所述器件區和測試區的第二阱區中的第二摻雜區，所述第二摻雜區中具有第二摻雜離子，所述第二摻雜離子與所述第二阱離子的導電類型相反。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括：位于所述器件區的第一阱區表面的第一柵極結構；位于所述器件區的第一阱區中的第三摻雜區，所述第一摻雜區和第三摻雜區分別位于同一個所述第一柵極結構兩側；

位于所述器件區的第二阱區表面的第二柵極結構；位于所述器件區的第二阱區中的第四摻雜區，所述第四摻雜區與所述第二摻雜區分別位于同一個第二柵極結構兩側。

9.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括：分別位于所述器件區和測試區的第一阱區中的第一連接層，所述第一連接層中具有第一連接離子，所述第一連接離子與所述第一阱離子的導電類型相同；分別位于所述器件區和測試區的第二阱區中的第二連接層，所述第二連接層中具有第二連接離子，所述第二連接離子與所述第二阱離子的導電類型相同。