[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、工作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710073605.7
• 申請日: 2017-02-10
• 公開（公告）號: CN108417536B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王鍇
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、工作方法，其中結(jié)構(gòu)包括：襯底，襯底包括器件區(qū)和測試區(qū)；位于器件區(qū)和測試區(qū)襯底中的第一阱區(qū)，第一阱區(qū)中具有第一阱離子；位于器件區(qū)和測試區(qū)襯底中的第二阱區(qū)，第二阱區(qū)中具有第二阱離子，第二阱離子與所述第一阱離子的導(dǎo)電類型相反；位于器件區(qū)和測試區(qū)的第一阱區(qū)中的第一摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)中具有第一摻雜離子，第一摻雜離子與所述第一阱離子的導(dǎo)電類型相反；位于所述器件區(qū)和測試區(qū)的第二阱區(qū)中的第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)中具有第二摻雜離子。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠在晶圓上對器件區(qū)形成的器件的閂鎖效應(yīng)進行檢測。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、工作方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體器件集成度的提高，晶體管的關(guān)鍵尺寸不斷縮小。隨著晶體管尺寸的急劇減小，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能提出了更高的要求。

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC(Complementary MOS IntegratedCircuit)。

由于CMOS晶體管具有很好的功耗和抗干擾能力，CMOS的應(yīng)用越來越廣泛，目前集成電路上的多數(shù)晶體管都是采用CMOS技術(shù)。

然而，CMOS具有寄生雙極晶體管，容易產(chǎn)生閂鎖效應(yīng)。閂鎖效應(yīng)是指CMOS器件所固有的寄生雙極晶體管被觸發(fā)導(dǎo)通，在電源和地之間形成一個低阻通路，形成大電流，導(dǎo)致電路無法正常工作，甚至燒毀電路。這就需要對CMOS晶體管的閂鎖效應(yīng)進行檢測，從而控制閂鎖效應(yīng)。

現(xiàn)有技術(shù)很難在晶圓上對閂鎖效應(yīng)進行檢測。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、工作方法，以對器件區(qū)形成的半導(dǎo)體器件的閂鎖效應(yīng)進行檢測。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括器件區(qū)和測試區(qū)；在所述器件區(qū)和測試區(qū)襯底中形成第一阱區(qū)，所述第一阱區(qū)中具有第一阱離子；在所述器件區(qū)和測試區(qū)襯底中形成第二阱區(qū)，所述第二阱區(qū)與所述第一阱區(qū)接觸，所述第二阱區(qū)中具有第二阱離子，所述第二阱離子與所述第一阱離子的導(dǎo)電類型相反；分別在所述器件區(qū)和測試區(qū)的第一阱區(qū)中形成第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)中具有第一摻雜離子，所述第一摻雜離子與所述第一阱離子的導(dǎo)電類型相反；分別在所述器件區(qū)和測試區(qū)的第二阱區(qū)中形成第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)中具有第二摻雜離子，所述第二摻雜離子與所述第二阱離子的導(dǎo)電類型相反。

可選的，還包括：形成所述第一摻雜區(qū)之前，在所述器件區(qū)的第一阱區(qū)表面形成第一柵極結(jié)構(gòu)；在所述器件區(qū)的第一阱區(qū)中形成第三摻雜區(qū)，所述第三摻雜區(qū)和第一摻雜區(qū)分別位于同一個第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)；形成所述第二摻雜區(qū)之前，在所述器件區(qū)的第二阱區(qū)表面形成第二柵極結(jié)構(gòu)；在所述器件區(qū)的第二阱區(qū)中形成第四摻雜區(qū)，所述第四摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)分別位于同一個第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)。

可選的，還包括：分別在所述器件區(qū)和測試區(qū)的第一阱區(qū)中形成第一連接層，所述第一連接層中具有第一連接離子，所述第一連接離子與所述第一阱離子的導(dǎo)電類型相同；分別在所述器件區(qū)和測試區(qū)的第二阱區(qū)中形成第二連接層，所述第二連接層中具有第二連接離子，所述第二連接離子與所述第二阱離子的導(dǎo)電類型相同。

可選的，所述測試區(qū)中第一摻雜區(qū)的個數(shù)為單個或多個，所述測試區(qū)中第二摻雜區(qū)的個數(shù)為單個或多個；所述測試區(qū)的個數(shù)為一個或多個。

可選的，所述器件區(qū)第一阱區(qū)中的第一阱離子的濃度與所述測試區(qū)第一阱區(qū)中的第一阱離子的濃度相同；所述器件區(qū)第二阱區(qū)中的第二阱離子與所述測試區(qū)第二阱區(qū)中的第二阱離子的濃度相同。