[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710073374.X
• 申請日: 2017-02-10
• 公開（公告）號: CN107170745B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 藤木潤;荒井伸也
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體裝置，其特征在于具備：

第1導電型的第1半導體區域；

積層體，設置在所述第1半導體區域上，且所述積層體包含交替地積層的多個絕緣體與多個電極層；

多個柱狀部，設置在所述積層體內，所述柱狀部沿所述積層體的積層方向延伸，所述柱狀部包含半導體主體與電荷蓄積膜，所述半導體主體與所述第1半導體區域相接，且電荷蓄積膜包含電荷蓄積部；

壁狀的多個第1絕緣部，設置在所述積層體內，所述第1絕緣部沿所述積層方向及與所述積層方向垂直的第1方向延伸，且所述第1絕緣部與所述第1半導體區域相接；以及

柱狀的多個第2絕緣部，設置在所述積層體內，所述第2絕緣部沿所述積層方向延伸，所述第2絕緣部與所述第1半導體區域相接，所述第2絕緣部的沿著與所述第1方向在平面內垂直的第2方向的寬度比所述第1絕緣部的沿著所述第2方向的寬度寬，且所述第2絕緣部俯視觀察時配置成錯位格子狀。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：還具備設置在所述第2絕緣部內的第1導電體。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：所述第1導電體與所述第1半導體區域相接。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：還具備設置在所述第1半導體區域內的第2導電型的第2半導體區域，且

所述第1導電體與所述第2半導體區域相接。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：還具備周邊電路，該周邊電路將所述第1半導體區域夾在中間而設置在所述積層體的下方，且所述周邊電路包含晶體管，且

所述第1導電體與所述晶體管電連接。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述第2絕緣部與所述第1絕緣部的1個重疊。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述第2絕緣部不與所述第1絕緣部重疊。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述第2絕緣部的至少1個與所述第1絕緣部的1個重疊，且所述第2絕緣部的其余部分不與所述第1絕緣部重疊。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于還具備：

第2導電體，設置在所述第2絕緣部內；

第2導電型的第3半導體區域，設置在所述第1半導體區域內；以及

第1導電型的第4半導體區域，設置在所述第1半導體區域內；

設置在所述第2絕緣部的至少1個的所述第2導電體與所述第3半導體區域相接，且

設置在所述第2絕緣部的其余部分的所述第2導電體與所述第4半導體區域相接。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述第2絕緣部的平面形狀為圓形、圓角長方形及橢圓形的任一個。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述第2絕緣部代替所述柱狀部設置在供設置所述柱狀部的區域。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于：所述柱狀部從所述第2絕緣部的周圍被省略。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述第2絕緣部覆蓋設置在所述第1絕緣部，且

所述柱狀部從所述第2絕緣部的周圍被省略。

14.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：在所述積層體的上方還具備將所述第1導電體彼此連接的電氣配線。