[發明專利]一種LPCVD系統冷阱裝置

有效

• 申請號: 201710073339.8
• 申請日: 2017-02-10
• 公開（公告）號: CN106591803B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: 丁波;陳瀚;李軼;侯金松;徐偉濤;張文亮;杭海燕
• 申請（專利權）人: 上海微世半導體有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 上海遠同律師事務所 31307
• 代理人: 張堅

本發明公開了一種LPCVD系統冷阱裝置，包括套筒法蘭組件和盤管法蘭組件，套筒法蘭組件包括筒體、設于筒體一端的出氣口、設于筒體一側的進氣口以及軸向設于筒體內且一端與出氣口相連通的導流管，盤管法蘭組件包括法蘭盤、設于法蘭盤上的冷卻水進、出口、分別與冷卻水進、出口相連通的冷卻水盤管，法蘭盤與筒體另一端相對接密封，導流管另一端套設于冷卻水盤管上。本裝置結構簡單、冷卻快速高效，在LPCVD系統反應室內反應產生的可凝華氣態副產物進入冷阱，氣流通過導流管時與冷卻水盤管和散熱片進行充分熱交換，氣體因為溫度急速降低凝華成固體，冷阱裝置可拆卸后進行清理，既保證了真空管道不被堵塞，同時也避免了氣體在真空泵內凝華導致真空泵卡死。

技術領域

本發明屬于LPCVD系統，具體涉及一種LPCVD系統冷阱裝置。

背景技術

目前，市場上的高壓半導體分立器件均通過LPCVD系統(LPCVD--Low PressureChemical Vapor Deposition，低壓力化學氣相沉積法，被廣泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉積)在晶片表面形成一層表面鈍化薄膜來進行保護。

LPCVD系統在運行過程中使用的氣體，在其反應室內進行化學反應并產生氣態副產物，這部分氣態副產物隨氣流方向進入真空管道和真空泵。一些特殊的氣態副產物會因應為溫度的變化凝華為固體，凝華物不斷積累會使真空管道口越來越小，最后導致堵塞；另外，真空泵因為凝華物的進入而卡死。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種LPCVD系統冷阱裝置，保證了真空管道不被堵塞，同時也避免了真空泵卡死。

為了解決上述技術問題，本發明采用如下的技術方案：

一種LPCVD系統冷阱裝置，包括套筒法蘭組件和盤管法蘭組件，套筒法蘭組件包括筒體、設于筒體一端的出氣口、設于筒體一側的進氣口以及軸向設于筒體內且一端與出氣口相連通的導流管，盤管法蘭組件包括法蘭盤，設于法蘭盤上的冷卻水進、出口，分別與冷卻水進、出口相連通的冷卻水盤管，法蘭盤與筒體另一端相對接密封，所述導流管套設于所述冷卻水盤管上。

所述冷卻水盤管盤成整體與導流管同軸的管狀結構，且與導流管之間存在間隙。

所述冷卻水進口連通有一沿冷卻水盤管整體軸向設置的進水管，冷卻水進口通過進水管另一端與冷卻水盤管相連通。

所述冷卻水盤管與進水管之間還設有冷凝機構。

所述冷凝機構包括依次排列的數層漏斗狀冷凝片。

所述冷凝片上開有冷凝孔。

所述進氣口與出氣口分別與LPCVD系統反應室和真空泵相連通。

采用本發明的LPCVD系統冷阱裝置具有以下幾個優點：

1、由于導流管內設有冷卻水盤管和冷凝片，氣體在通過導流管勢必與冷卻水盤管和冷凝片充分接觸，通過熱交換的方式使氣體溫度迅速降低，可凝華的氣體因為溫度降低成為固態，其它非凝華氣體通過冷阱進入真空泵。

2、凝華生成的固態物質沉淀留在冷阱內，而冷阱內部導流管管徑相比真空管道大大增加，故不易堵塞，且冷阱是方便拆卸下來進行清理的，這樣既保證了真空管道不被堵塞，同時也避免真空泵因為凝華物的進入而卡死。

附圖說明

圖1是本發明的LPCVD系統冷阱裝置的在LPCVD系統中的安裝示意圖。

圖2是本發明的冷阱裝置的立體圖。

圖3是本發明的冷阱裝置的軸向剖視圖。

圖4是本發明的套筒法蘭組件的立體圖。

圖5是本發明的盤管法蘭組件的立體圖。

具體實施方式