[發(fā)明專利]一種LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710073339.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106591803B | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁波;陳瀚;李軼;侯金松;徐偉濤;張文亮;杭海燕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海微世半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/44 | 分類號(hào): | C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海遠(yuǎn)同律師事務(wù)所 31307 | 代理人: | 張堅(jiān) |
| 地址: | 201401 上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 lpcvd 系統(tǒng) 裝置 | ||
1.一種LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置,包括套筒法蘭組件和盤管法蘭組件,套筒法蘭組件包括筒體、設(shè)于筒體一端的出氣口、設(shè)于筒體一側(cè)的進(jìn)氣口,盤管法蘭組件包括法蘭盤,設(shè)于法蘭盤上的冷卻水進(jìn)、出口,其特征在于:所述套筒法蘭組件還包括軸向設(shè)于筒體內(nèi)且一端與出氣口相連通的導(dǎo)流管,所述盤管法蘭組件還包括分別與冷卻水進(jìn)、出口相連通的冷卻水盤管,法蘭盤與筒體另一端相對(duì)接密封,所述導(dǎo)流管套設(shè)于所述冷卻水盤管上;所述冷卻水進(jìn)口連通有一沿冷卻水盤管整體軸向設(shè)置的進(jìn)水管,冷卻水進(jìn)口通過(guò)進(jìn)水管另一端與冷卻水盤管相連通;所述冷卻水盤管與進(jìn)水管之間還設(shè)有冷凝機(jī)構(gòu);所述冷凝機(jī)構(gòu)包括依次排列的數(shù)層漏斗狀冷凝片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置,其特征在于:所述冷卻水盤管盤成整體與導(dǎo)流管同軸的管狀結(jié)構(gòu),且與導(dǎo)流管之間存在間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置,其特征在于:所述冷凝片上開有冷凝孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置,其特征在于:所述進(jìn)氣口與出氣口分別與LPCVD系統(tǒng)反應(yīng)室和真空泵相連通。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





