[發明專利]一種LPCVD系統冷阱裝置有效
| 申請號: | 201710073339.8 | 申請日: | 2017-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN106591803B | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | 丁波;陳瀚;李軼;侯金松;徐偉濤;張文亮;杭海燕 | 申請(專利權)人: | 上海微世半導體有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海遠同律師事務所 31307 | 代理人: | 張堅 |
| 地址: | 201401 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 lpcvd 系統 裝置 | ||
1.一種LPCVD系統冷阱裝置,包括套筒法蘭組件和盤管法蘭組件,套筒法蘭組件包括筒體、設于筒體一端的出氣口、設于筒體一側的進氣口,盤管法蘭組件包括法蘭盤,設于法蘭盤上的冷卻水進、出口,其特征在于:所述套筒法蘭組件還包括軸向設于筒體內且一端與出氣口相連通的導流管,所述盤管法蘭組件還包括分別與冷卻水進、出口相連通的冷卻水盤管,法蘭盤與筒體另一端相對接密封,所述導流管套設于所述冷卻水盤管上;所述冷卻水進口連通有一沿冷卻水盤管整體軸向設置的進水管,冷卻水進口通過進水管另一端與冷卻水盤管相連通;所述冷卻水盤管與進水管之間還設有冷凝機構;所述冷凝機構包括依次排列的數層漏斗狀冷凝片。
2.根據權利要求1所述的LPCVD系統冷阱裝置,其特征在于:所述冷卻水盤管盤成整體與導流管同軸的管狀結構,且與導流管之間存在間隙。
3.根據權利要求2所述的LPCVD系統冷阱裝置,其特征在于:所述冷凝片上開有冷凝孔。
4.根據權利要求1所述的LPCVD系統冷阱裝置,其特征在于:所述進氣口與出氣口分別與LPCVD系統反應室和真空泵相連通。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





