[發明專利]晶體管裝置

有效

• 申請號: 201710071802.5
• 申請日: 2017-02-09
• 公開（公告）號: CN108231883B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 王泰瑞;張祖強;馮捷威;顏劭安;陳韋翰
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 祁建國;梁揮

本發明提供一種晶體管裝置包括半導體材料層、柵極層以及絕緣層。半導體材料層一體地包括第一導電部、第二導電部、通道部以及第一凸出部。通道部位于第一導電部與第二導電部之間。通道部具有第一邊界、第二邊界、第三邊界與第四邊界，其中第一邊界與第一導電部鄰接，第二邊界與第二導電部鄰接，而第三邊界與第四邊界連接第一邊界與第二邊界的端點。第一凸出部由通道部的第三邊界向外凸出。柵極層橫越并重疊通道部。柵極層的第一柵極邊界與第二柵極邊界重疊于通道部的第一邊界與第二邊界。絕緣層設置于柵極層與半導體材料層之間。

技術領域

本發明涉及一種電子元件，且特別涉及一種晶體管裝置。

背景技術

隨著電子元件的制作技術的發展，柔性電子產品的研發已越來越蓬勃。柔性電子產品，諸如柔性顯示面板，必須克服的主要問題在于電子產品在使用過程中會被不斷彎曲，從而導致電子產品中的元件可能因應力的施加而容易損壞。特別是電子元件中，為了實現產品的性能，需要使用半導體材料。很多的半導體材料在承受應力后，其導電性(或是半導體性質)可能改變，這導致了電子元件的操作穩定性不良。舉例來說，以半導體材料作為通道層的晶體管元件，可能在受到應力之后發生導通電壓(或臨界電壓)偏移的現象，或是發生漏電流的現象。

發明內容

本發明提供一種晶體管裝置，其結構設計有助于減少裝置受到應力后發生的不良影響。

本發明的晶體管裝置，包括半導體材料層、柵極層以及絕緣層。半導體材料層一體地包括第一導電部、第二導電部、通道部以及第一凸出部。通道部位于第一導電部與第二導電部之間。通道部具有第一邊界、第二邊界、第三邊界與第四邊界，其中第一邊界與第一導電部鄰接，第二邊界與第二導電部鄰接，而第三邊界與第四邊界連接第一邊界與第二邊界的端點。第一凸出部由通道部的第三邊界向外凸出。柵極層橫越并重疊通道部。柵極層的第一柵極邊界與第二柵極邊界重疊于通道部的第一邊界與第二邊界。絕緣層設置于柵極層與半導體材料層之間。

較佳的，在上述晶體管裝置中，第一導電部與第二導電部的導電性優于通道部與第一凸出部。

較佳的，在上述晶體管裝置中，第一凸出部連接第三邊界的連接長度不大于第三邊界的長度。

較佳的，在上述晶體管裝置中，柵極層包括柵極線與柵極，柵極是從柵極線凸起后伸出的分支，且柵極橫越并重疊通道部。

較佳的，在上述晶體管裝置中，柵極層與第一凸出部至少部分重疊。

較佳的，在上述晶體管裝置中，柵極層的第三柵極邊界重疊于所述通道部的所述第三邊界。

較佳的，在上述晶體管裝置中，柵極層的第三柵極邊界還可重疊于第一凸出部的邊界。

較佳的，在上述晶體管裝置中，第一凸出部的邊界即為半導體材料層的邊界的一部份。

較佳的，在上述晶體管裝置中，半導體材料層還包括第二凸出部，通道部位于第一凸出部與第二凸出部之間。

較佳的，在上述晶體管裝置中，第一凸出部從第三邊界向外凸出第一凸出寬度，且第二凸出部從第四邊界向外凸出第二凸出寬度。

較佳的，在上述晶體管裝置中，第一凸出寬度與第二凸出寬度不同。

較佳的，在上述晶體管裝置中，第一凸出寬度與第二凸出寬度至少其中之一為非均一寬度。

較佳的，在上述晶體管裝置中，第一凸出寬度與第二凸出寬度至少其中之一從第一邊界朝向第二邊界的變化包括先增加再減少。

較佳的，在上述晶體管裝置中，第一導電部與第二導電部各自的摻雜濃度大于通道部與第一凸出部各自的摻雜濃度。