[發明專利]晶體管裝置

有效

• 申請號: 201710071802.5
• 申請日: 2017-02-09
• 公開（公告）號: CN108231883B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 王泰瑞;張祖強;馮捷威;顏劭安;陳韋翰
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 祁建國;梁揮

1.一種晶體管裝置，其特征在于，包括：

半導體材料層，一體的包括第一導電部、第二導電部、通道部以及第一凸出部，所述通道部位于所述第一導電部與所述第二導電部之間，其中所述通道部具有第一邊界、第二邊界、第三邊界與第四邊界，所述第一邊界與所述第一導電部鄰接，所述第二邊界與所述第二導電部鄰接，而所述第三邊界與所述第四邊界連接所述第一邊界與所述第二邊界的端點，所述第一凸出部從所述通道部的所述第三邊界向外凸出；

柵極層，橫越并重疊所述通道部，所述柵極層的第一柵極邊界與第二柵極邊界重疊于所述通道部的所述第一邊界與所述第二邊界；以及

絕緣層，設置于所述柵極層與所述半導體材料層之間，

其中所述第一導電部包括第一頸縮區以及第一連接區，所述第一連接區位于所述第一頸縮區與所述通道部之間，所述第一連接區與所述第一頸縮區的交界在所述第一柵極邊界的投影線為所述通道部的所述第一邊界，而所述第一凸出部包括彼此連接的第一內凸出區與第一外凸出區，所述第一內凸出區從所述通道部的所述第三邊界向外凸出，且所述第一外凸出區從所述第一導電部的所述第一連接區向外凸出。

2.如權利要求1所述的晶體管裝置，其特征在于，所述第一導電部與所述第二導電部的導電性優于所述通道部與所述第一凸出部。

3.如權利要求1所述的晶體管裝置，其特征在于，所述第一凸出部連接所述第三邊界的連接長度不大于所述第三邊界的長度。

4.如權利要求1所述的晶體管裝置，其特征在于，所述柵極層包括柵極線與柵極，所述柵極是從所述柵極線凸起后伸出的分支，且所述柵極橫越并重疊所述通道部。

5.如權利要求1所述的晶體管裝置，其特征在于，所述柵極層與所述第一凸出部至少部分重疊。

6.如權利要求1所述的晶體管裝置，其特征在于，所述柵極層的第三柵極邊界重疊于所述第一凸出部的邊界。

7.如權利要求1所述的晶體管裝置，其特征在于，所述第一凸出部的邊界即為所述半導體材料層的邊界的一部分 。

8.如權利要求1所述的晶體管裝置，其特征在于，所述半導體材料層還包括第二凸出部，所述通道部位于所述第一凸出部與所述第二凸出部之間。

9.如權利要求8所述的晶體管裝置，其特征在于，所述第一凸出部從所述第三邊界向外凸出第一凸出寬度，且所述第二凸出部從所述第四邊界向外凸出第二凸出寬度。

10.如權利要求9所述的晶體管裝置，其特征在于，所述第一凸出寬度與所述第二凸出寬度不同。

11.如權利要求9所述的晶體管裝置，其特征在于，所述第一凸出寬度與所述第二凸出寬度至少其中之一為非均一寬度。

12.如權利要求9所述的晶體管裝置，其特征在于，所述第一凸出寬度與所述第二凸出寬度至少其中之一從所述第一邊界朝向所述第二邊界的變化包括先增加再減少。

13.如權利要求1所述的晶體管裝置，其特征在于，所述第一導電部與所述第二導電部各自的摻雜濃度大于所述通道部與所述第一凸出部各自的摻雜濃度。

14.如權利要求1所述的晶體管裝置，其特征在于，所述半導體材料層還包括位于所述第一導電部周邊的第一低導電部與位于所述第二導電部周邊的第二低導電部，所述第一低導電部與所述第二低導電部都未重疊于所述柵極層，所述第一低導電部與所述第二低導電部的邊界構成所述半導體材料層的邊界的一部分 。

15.如權利要求14所述的晶體管裝置，其特征在于，所述第一導電部與所述第二導電部各自的摻雜濃度大于所述第一低導電部、所述第二低導電部、所述通道部與所述第一凸出部各自的摻雜濃度。