[發(fā)明專利]顯示裝置及顯示裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710069669.X
• 申請日: 2017-02-08
• 公開（公告）號: CN107230690B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 丸山哲
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日本顯示器
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;閆劍平

本發(fā)明提供一種顯示裝置及顯示裝置的制造方法，其目的在于減小薄膜晶體管的電流偏差，提高驅(qū)動能力。設(shè)于周邊區(qū)域(PR)的多個薄膜晶體管為交錯型的第一薄膜晶體管(TFT1)，其具有由低溫多晶硅構(gòu)成的第一溝道層(CH1)，且在第一源電極(SE1)及第一漏電極(DE1)各自與第一柵電極(GE1)之間不存在第一溝道層。設(shè)于顯示區(qū)域(DR)的多個薄膜晶體管包括交錯型的第二薄膜晶體管(TFT2)，其具有由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的第二溝道層(CH2)，且在第二源電極(SE2)及第二漏電極(DE2)各自與第二柵電極(GE2)之間不存在第二溝道層。第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相比位于更下層的位置。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種顯示裝置及顯示裝置的制造方法。

背景技術(shù)

顯示裝置通過與每個像素對應(yīng)的亮度和色度的發(fā)光來顯示圖像。例如，向設(shè)在配置成矩陣狀的多個像素電極與這些像素電極所共用的共用電極之間的有機(jī)發(fā)光層流通電流使其發(fā)光。另外，針對各個像素布局有組合了多個薄膜晶體管、電容器的像素電路。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2012-160679號公報

因為由低溫多晶硅構(gòu)成的薄膜晶體管的驅(qū)動能力高，所以被大量使用。硅通過受激準(zhǔn)分子激光退火而被多結(jié)晶化，但激光的照射偏差很大，從而無法減小各像素的電流偏差。因此，需要設(shè)置修正電路、或者多次反復(fù)照射激光，從而存在裝置成本、激光的材料成本等的課題。

近年來，作為薄膜晶體管工藝，開發(fā)出使用了氧化物半導(dǎo)體的制造工藝(專利文獻(xiàn)1)。然而，使用了氧化物半導(dǎo)體的現(xiàn)有薄膜晶體管無法滿足窄框、低耗電量等的制約條件。于是，期待開發(fā)出用于混載基于氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管和基于低溫多晶硅的薄膜晶體管的工藝。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，減小薄膜晶體管的電流偏差，提高驅(qū)動能力。

本發(fā)明的顯示裝置的特征在于，具有：多個像素電極，其設(shè)于用于顯示圖像的顯示區(qū)域；共用電極，其配置在所述多個像素電極的上方；發(fā)光元件層，其夾設(shè)在所述多個像素電極與所述共用電極之間；以及由多個層構(gòu)成的電路層，所述多個層從所述顯示區(qū)域到達(dá)位于所述顯示區(qū)域的外側(cè)的周邊區(qū)域，所述電路層在所述顯示區(qū)域及所述周邊區(qū)域分別具有多個薄膜晶體管，設(shè)于所述周邊區(qū)域的所述多個薄膜晶體管為交錯型的第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管具有由低溫多晶硅構(gòu)成的第一溝道層，且在第一源電極與第一柵電極之間及第一漏電極與第一柵電極之間不存在所述第一溝道層，設(shè)于所述顯示區(qū)域的所述多個薄膜晶體管包括交錯型的第二薄膜晶體管，該第二薄膜晶體管具有由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的第二溝道層，且在第二源電極與第二柵電極之間及第二漏電極與第二柵電極之間不存在所述第二溝道層，所述第二薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管相比位于更上層的位置。

根據(jù)本發(fā)明，第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管為交錯型，因此寄生電容變小，驅(qū)動能力很高。另外，由于第二薄膜晶體管的第二溝道層由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成，所以能夠減小電流偏差。而且，第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管相比位于更下層的位置。因此，由于第二薄膜晶體管在第一薄膜晶體管之后形成，所以不會受到在形成由低溫多晶硅構(gòu)成的第一溝道層時的熱量。

本發(fā)明的顯示裝置的制造方法中，顯示裝置具有用于顯示圖像的顯示區(qū)域及位于所述顯示區(qū)域的外側(cè)的周邊區(qū)域，該顯示裝置的制造方法的的特征在于，包括：在所述周邊區(qū)域形成交錯型的第一薄膜晶體管的工序，所述第一薄膜晶體管具有由低溫多晶硅構(gòu)成的第一溝道層，且在第一源電極與第一柵電極之間及第一漏電極與第一柵電極之間不存在所述第一溝道層；在形成所述第一薄膜晶體管之后，在所述顯示區(qū)域形成交錯型的第二薄膜晶體管的工序，該第二薄膜晶體管具有由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的第二溝道層，且在第二源電極與第二柵電極之間及第二漏電極與第二柵電極之間不存在所述第二溝道層；在形成所述第二薄膜晶體管之后，在所述顯示區(qū)域形成多個像素電極的工序；在所述多個像素電極的上方形成發(fā)光元件層的工序；以及在所述發(fā)光元件層的上方形成共用電極。