[發明專利]顯示裝置及顯示裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201710069669.X
• 申請日: 2017-02-08
• 公開（公告）號: CN107230690B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 丸山哲
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;閆劍平

1.一種顯示裝置，其特征在于，具有：

多個像素電極，其設于用于顯示圖像的顯示區域；

共用電極，其配置在所述多個像素電極的上方；

發光元件層，其夾設在所述多個像素電極與所述共用電極之間；以及

由多個層構成的電路層，所述多個層從所述顯示區域到達位于所述顯示區域的外側的周邊區域，

所述電路層在所述顯示區域及所述周邊區域分別具有多個薄膜晶體管，

設于所述周邊區域的所述多個薄膜晶體管為交錯型的第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管具有由低溫多晶硅構成的第一溝道層，且在第一源電極與第一柵電極之間及第一漏電極與第一柵電極之間不存在所述第一溝道層，

設于所述顯示區域的所述多個薄膜晶體管包括交錯型的第二薄膜晶體管，該第二薄膜晶體管具有由氧化物半導體構成的第二溝道層，且在第二源電極與第二柵電極之間及第二漏電極與第二柵電極之間不存在所述第二溝道層，

所述第二薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管相比位于更上層的位置，

構成所述電路層的所述多個層在所述顯示區域包括向所述低溫多晶硅的層注入離子而形成的導電層，

所述導電層位于與所述第一薄膜晶體管的所述第一溝道層同一層的位置，且與所述第二薄膜晶體管相比位于更下層的位置。

2.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

設于所述顯示區域的所述第二薄膜晶體管以能夠控制向所述多個像素電極的每一個供給的電流的供給量的方式被連接。

3.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述導電層具有與所述第二薄膜晶體管的整體重疊的大小。

4.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

構成所述電路層的所述多個層在所述顯示區域還包括第二導電層，將所述導電層作為電容器的一個電極，所述第二導電層在與所述導電層相對的位置成為另一個電極，

所述第二導電層位于與所述第一薄膜晶體管的所述第一柵電極同一層的位置，且與所述第二薄膜晶體管相比位于更下層的位置。

5.如權利要求1～4中任一項所述的顯示裝置，其特征在于，

設于所述顯示區域的所述多個薄膜晶體管在與所述周邊區域的所述第一薄膜晶體管同一層的位置還包括所述第一薄膜晶體管。

6.如權利要求1～4中任一項所述的顯示裝置，其特征在于，

還具有接觸插塞，該接觸插塞將所述電路層的所述第一薄膜晶體管上方的層貫穿，且與所述第一溝道層連接，

構成所述電路層的所述多個層還包括金屬層，該金屬層以與所述第一薄膜晶體管的所述第一溝道層的至少端部重疊的方式，在與所述第二薄膜晶體管的所述第二柵電極同一層的位置由與所述第二柵電極相同的材料構成，

所述金屬層以與所述接觸插塞成為一體的方式形成。

7.一種顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置具有用于顯示圖像的顯示區域及位于所述顯示區域的外側的周邊區域，所述顯示裝置的制造方法的特征在于，包括：

在所述周邊區域形成交錯型的第一薄膜晶體管的工序，所述第一薄膜晶體管具有由低溫多晶硅構成的第一溝道層，且在第一源電極與第一柵電極之間及第一漏電極與第一柵電極之間不存在所述第一溝道層；

在形成所述第一薄膜晶體管之后，在所述顯示區域形成交錯型的第二薄膜晶體管的工序，該第二薄膜晶體管具有由氧化物半導體構成的第二溝道層，且在第二源電極與第二柵電極之間及第二漏電極與第二柵電極之間不存在所述第二溝道層；

在形成所述第二薄膜晶體管之后，在所述顯示區域形成多個像素電極的工序；

在所述多個像素電極的上方形成發光元件層的工序；以及

在所述發光元件層的上方形成共用電極，

在所述周邊區域形成所述第一薄膜晶體管的工序中，在所述顯示區域通過形成所述低溫多晶硅的層并注入離子而形成導電層。

8.如權利要求7所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

所述導電層以具有與所述第二薄膜晶體管的整體重疊的大小的方式形成。