[發(fā)明專利]鋁膜工藝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710068667.9
• 申請(qǐng)日: 2017-02-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106847669B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/033
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發(fā)明公開(kāi)了一種鋁膜工藝方法，適用于厚度不低于的鋁膜，去除金屬膜時(shí)去掉聚合物，再用濕法刻蝕加干法刻蝕將剩余聚合物完全去除。去除金屬膜采用氧氣流和水剝離的方法。本發(fā)明方法在金屬膜剝離時(shí)去除聚合物，再用濕法刻蝕和干法刻蝕完全去除剩余的聚合物，能將聚合物去除干凈，增加后續(xù)工藝腐蝕窗口。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是指一種針對(duì)厚度以上的鋁膜工藝方法。

背景技術(shù)

鋁在半導(dǎo)體工藝中被廣泛應(yīng)用，比如形成金屬互連線、各種極板等等。從導(dǎo)電性能的角度來(lái)看，鋁的導(dǎo)電性要比銅和金差一些，但如果用銅代替鋁，銅與鋁的接觸電阻很高，并且如果銅進(jìn)入器件區(qū)將引起器件性能的災(zāi)難，而鋁則不具有前述問(wèn)題，因而成為一種很好的選擇。它有足夠低的電阻率，有很好的過(guò)電流密度，對(duì)二氧化硅有很好的粘附性，能形成很高的純度，天然具備與硅的低接觸電阻，易于圖形化工藝等等。

傳統(tǒng)的鋁膜濕法刻蝕是基于磷酸。現(xiàn)有厚鋁(厚度以上)刻蝕工藝中由于刻蝕時(shí)間長(zhǎng)，使用光刻膠厚，導(dǎo)致鋁金屬側(cè)壁的聚合物(剩余的光刻膠)很厚，后續(xù)即使使用多次濕法和干法刻蝕都不能有效把聚合物去除干凈，如圖1所示，而造成金屬腐蝕的因素之一的氯氣Cl₂,都隱藏在聚合物里面，鋁腐蝕的反應(yīng)原理為：

Al+Cl₂→AlCl₃；

AlCl₃+H₂O→Al(OH)₃+Cl₂.

可以看出，上述反應(yīng)式能反復(fù)循環(huán)進(jìn)行，鋁就一直被腐蝕下去。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種鋁膜工藝方法，能完全去除聚合物，保護(hù)鋁膜不會(huì)被腐蝕。

本發(fā)明所述的鋁膜工藝方法，適用于厚度不低于的鋁膜，去除金屬膜時(shí)去掉聚合物，再用濕法刻蝕加干法刻蝕將剩余聚合物完全去除。

進(jìn)一步地，去除金屬膜采用氧氣流和水剝離的方法。

進(jìn)一步地，去除金屬膜時(shí)溫度控制在230～270℃。

進(jìn)一步地，氧氣流使用工藝參數(shù)為:壓力2Torr,射頻功率0W，氧氣流量4000sccm，時(shí)間為20s；水剝離使用工藝參數(shù)為：壓力2Torr，射頻功率1400w，水蒸氣流量500sccm，時(shí)間為60s。

本發(fā)明所述的鋁膜工藝方法，在金屬膜剝離時(shí)去除聚合物，再用濕法刻蝕和干法刻蝕完全去除剩余的聚合物，能將聚合物去除干凈，增加后續(xù)工藝腐蝕窗口。

附圖說(shuō)明

圖1是鋁金屬膜聚合物殘留的示意圖，圖中可見(jiàn)金屬側(cè)壁有聚合物殘留。

圖2是使用本發(fā)明工藝后，金屬膜側(cè)壁聚合物被去除干凈的示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明所述的鋁膜工藝方法，適用于厚度不低于的厚鋁膜，首先是去除金屬膜時(shí)去掉聚合物，去除金屬膜采用氧氣流和水剝離的方法，溫度控制在230～270℃，氧氣流使用工藝參數(shù)為:壓力2Torr,射頻功率0W，氧氣流量4000sccm，時(shí)間為20s；水剝離使用工藝參數(shù)為：壓力2Torr，射頻功率1400w，水蒸氣流量500sccm，時(shí)間為60s。再用濕法刻蝕加干法刻蝕將剩余聚合物完全去除。如圖2所示，經(jīng)過(guò)上述工藝之后，金屬鋁膜側(cè)壁的聚合物已經(jīng)幾乎被全部去除，金屬側(cè)壁保持干凈，增加后續(xù)工藝的腐蝕窗口。

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限定本發(fā)明。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。