[發(fā)明專利]鋁膜工藝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710068667.9 | 申請日: | 2017-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN106847669B | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司: | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 工藝 方法 | ||
1.一種鋁膜工藝方法,適用于厚度不低于12000?的鋁膜,其特征在于:去除金屬膜時(shí)去掉聚合物,再用濕法刻蝕加干法刻蝕將剩余聚合物完全去除;
去除金屬膜采用氧氣流和水剝離的方法;
去除金屬膜時(shí)溫度控制在230~270℃;
氧氣流使用工藝參數(shù)為:壓力2Torr,射頻功率0W,氧氣流量4000sccm,時(shí)間為20s;水剝離使用工藝參數(shù)為:壓力2Torr,射頻功率1400w,水蒸氣流量500sccm,時(shí)間為60s。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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