[發明專利]原子室及其制法、干涉裝置、振蕩器、電子設備及移動體

有效

• 申請號: 201710068565.7
• 申請日: 2017-02-08
• 公開（公告）號: CN107104667B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 林暢仁;宮川拓也;石原直樹;牧義之
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H03L7/26
• 分類號: H03L7/26
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成

本發明涉及原子室及其制造方法、量子干涉裝置、原子振蕩器、電子設備以及移動體。課題：提供一種能夠具有高耐熱性的原子室。解決手段：一種原子室，其為在內部填充堿金屬的原子室，其包含：由包含具有極性基團的化合物的材料形成的內壁；涂布于上述內壁的、由具有與上述極性基團發生消除反應的官能團和非極性基團的第1分子形成的第1涂層；以及涂布于上述第1涂層的、由非極性的第2分子形成的第2涂層，上述第2分子為聚丙烯、聚乙烯或聚甲基戊烯。

技術領域

本發明涉及原子室及其制造方法、量子干涉裝置、原子振蕩器、電子設備以及移動體。

背景技術

作為長期具有高精度的振蕩特性的振蕩器，已知有基于銣、銫等堿金屬的原子的能量躍遷而進行振蕩的原子振蕩器。

通常，原子振蕩器的工作原理大致分為利用了由光和微波產生的雙共振現象的方式、以及利用了由波長不同的兩種光產生的量子干涉效應(CPT：Coherent PopulationTrapping)的方式，任一種原子振蕩器均具備封入了堿金屬的氣室(原子室)。

例如在日本特開2013-181941號公報中，記載了：通過在氣室的內壁形成OTS層，可減輕氣室的內壁表面的極性基團的暴露，并且通過在OTS層上形成石蠟層，能夠提高氣室內壁的非松弛特性，將這種氣室用于原子振蕩器。

發明內容

發明所要解決的課題

但是，石蠟的熔點低，因此，如JP-A-2013-181941那樣形成有石蠟層的原子室的耐熱性成為問題。

本發明的幾種方式的目的之一在于提供能夠具有高耐熱性的原子室。另外，本發明的幾種方式的目的之一在于提供能夠具有高耐熱性的原子室的制造方法。另外，本發明的幾種方式的目的之一在于提供包含上述原子室的量子干涉裝置、原子振蕩器、電子設備、移動體。

另外，在日本特開2013-181941號公報記載的氣室的情況下，堿金屬進入到OTS層(涂層)，構成內壁的分子與構成涂層的分子的結合被該堿金屬切斷，有時涂層發生剝離。

本發明的幾種方式的目的之一在于提供能夠降低涂層剝離的可能性的原子室。另外，本發明的幾種方式的目的之一在于提供能夠降低涂層剝離的可能性的原子室的制造方法。本發明的幾種方式的目的之一在于提供包含上述原子室的量子干涉裝置、原子振蕩器、電子設備、移動體。

用于解決課題的手段

本發明是為了解決至少一部分上述課題而進行的，可以以下述方式或應用例來實現。

[應用例1]

本應用例的原子室為在內部填充堿金屬的原子室，

其包含：

由包含具有極性基團的化合物的材料形成的內壁；

涂布于上述內壁的、由具有與上述極性基團發生消除反應的官能團和非極性基團的第1分子形成的第1涂層；以及

涂布于上述第1涂層的、由非極性的第2分子形成的第2涂層，

上述第2分子為聚丙烯、聚乙烯或聚甲基戊烯。

在這樣的原子室的情況下，由于聚丙烯、聚乙烯、聚甲基戊烯與石蠟相比熔點更高，因此與第2分子為石蠟的情況相比，第2涂層的熔點高，能夠具有高耐熱性。

[應用例2]

在本應用例的原子室中，

上述第1分子可以為烷基硅烷、醇或聚酰亞胺。

在這樣的原子室的情況下，能夠提高第1涂層的取向性，進而，還能夠提高第2涂層的取向性。因此，在這樣的原子室的情況下，能夠抑制堿金屬進入到第1分子之間或第2分子之間。