[發明專利]原子室及其制法、干涉裝置、振蕩器、電子設備及移動體

有效

• 申請號: 201710068565.7
• 申請日: 2017-02-08
• 公開（公告）號: CN107104667B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 林暢仁;宮川拓也;石原直樹;牧義之
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H03L7/26
• 分類號: H03L7/26
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成

1.一種原子室，其為在內部填充堿金屬的原子室，

所述在內部填充堿金屬的原子室包含：

涂布于內壁的、由第1分子形成的第1涂層；

涂布于所述第1涂層的、由具有與所述第1分子發生消除反應的官能團和非極性基團的第2分子形成的第2涂層；以及

涂布于所述第2涂層的、由非極性的第3分子形成的第3涂層，

所述第1分子為不與堿金屬發生置換反應的金屬氧化物。

2.如權利要求1所述的原子室，其中，所述第1分子為鉭氧化物、鋯氧化物、鉿氧化物或鈦氧化物。

3.如權利要求1或2所述的原子室，其中，所述第2分子為烷基硅烷、醇或聚酰亞胺。

4.權利要求1或2所述的原子室，其中，所述第3分子為聚丙烯、聚乙烯或聚甲基戊烯。

5.如權利要求1或2所述的原子室，其中，

所述第1分子為鉭氧化物，

所述第2分子為十八烷基三甲氧基硅烷，

所述第3分子為聚丙烯。

6.一種原子室的制造方法，其為在內部填充堿金屬的原子室的制造方法，

所述在內部填充堿金屬的原子室的制造方法包括：

利用第1分子對基材的內壁進行涂布由此形成第1涂層的工序；

利用具有與所述第1分子發生消除反應的官能團和非極性基團的第2分子對所述第1涂層進行涂布由此形成第2涂層的工序；以及

利用非極性的第3分子對所述第2涂層進行涂布由此形成第3涂層的工序，

所述第1分子為不與堿金屬發生置換反應的金屬氧化物。

7.一種量子干涉裝置，其包含：

權利要求1所述的原子室；

射出使所述堿金屬激發的激發光的光射出部；以及

對透過所述原子室的所述激發光進行檢測的光檢測部。

8.一種原子振蕩器，其包含：

權利要求1所述的原子室；

射出使所述堿金屬激發的激發光的光射出部；以及

對透過所述原子室的所述激發光進行檢測的光檢測部。

9.一種電子設備，其包含權利要求1所述的原子室。