[發(fā)明專利]TFT基板及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710067469.0
• 申請日: 2017-02-07
• 公開（公告）號: CN106898613A
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發(fā)明（設計）人: 劉元甫
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂,聞盼盼

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT基板及其制作方法。

背景技術

隨著顯示技術的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅動IC壓合與印刷電路板的整合，進而驅動液晶分子轉動，顯示圖像。

有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器，也稱為有機電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應范圍廣、體積輕薄、響應速度快，而且易于實現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現(xiàn)和集成電路驅動器相匹配、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，因而具有廣闊的應用前景。

OLED通常包括：基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設于發(fā)光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層、及設于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發(fā)光原理為半導體材料和有機發(fā)光材料在電場驅動下，通過載流子注入和復合導致發(fā)光。具體的，OLED顯示器件通常采用ITO像素電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

OLED按照驅動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

薄膜晶體管(TFT)是目前液晶顯示裝置和有源矩陣驅動式有機電致發(fā)光顯示裝置中的主要驅動元件，直接關系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。低溫多晶硅(Low temperature poly-silicon，簡稱LTPS)，由于其具有高的電子遷移率，可以有效的減小TFT器件的面積，從而提升像素的開口率，增大面板顯示亮度的同時可以降低整體的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低。

傳統(tǒng)的低溫多晶硅TFT采用頂柵極(top gate)結構，通過柵極(gate)遮擋溝道(channel)達到自對準制作輕摻雜漏區(qū)(LDD)的目的，以減小柵極(gate)與輕摻雜漏區(qū)(LDD)的交疊，圖1為現(xiàn)有的低溫多晶硅TFT基板的結構示意圖，如圖1所示，所述低溫多晶硅TFT基板包括從下到上依次層疊設置的襯底基板100、遮光層200、緩沖層300、有源層400、柵極絕緣層500、柵極600、層間介電層700、源極810與漏極820、平坦層900、公用電極910、鈍化層920、及像素電極930，其中，所述有源層400包括分別位于有源層400兩端的兩N型重摻雜區(qū)430、位于有源層400中間的溝道區(qū)410、及分別位于兩N型重摻雜區(qū)430與溝道區(qū)410之間的兩N型輕摻雜區(qū)420。