[發明專利]TFT基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201710067469.0
• 申請日: 2017-02-07
• 公開（公告）號: CN106898613A
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 劉元甫
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂,聞盼盼

1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上沉積第一導電層(19)，采用第一道光罩(11)對所述第一導電層(19)進行圖形化處理，得到柵極(20)；

步驟2、在所述柵極(20)與襯底基板(10)上沉積柵極絕緣層(30)，在所述柵極絕緣層(30)上形成半導體層(35)，采用第二道光罩(12)對所述半導體層(35)進行圖形化處理，得到半導體圖案(35’)；

步驟3、在所述半導體圖案(35’)及柵極絕緣層(30)上形成光阻層(55)，采用第三道光罩(13)對所述光阻層(55)進行曝光顯影，得到對應位于半導體圖案(35’)中間區域上方的光阻圖案(551)，所述光阻圖案(551)的縱剖面呈梯形；

以該光阻圖案(551)為掩膜板，對半導體圖案(35’)進行離子重摻雜處理，在所述半導體圖案(35’)上形成位于兩端的源極(51)及漏極(52)、及位于源極(51)和漏極(52)之間的有源層(40)；

步驟4、對所述光阻圖案(551)進行干蝕刻處理，減薄所述光阻圖案(551)的厚度，從而暴露出所述有源層(40)的兩端；

以蝕刻后的光阻圖案(551)為掩膜板，對所述有源層(40)的兩端進行離子輕摻雜處理，在所述有源層(40)上形成位于兩端且分別與所述源極(51)和漏極(52)相連接的兩個離子輕摻雜半導體層(42)、以及位于兩個離子輕摻雜半導體層(42)之間的溝道區半導體層(41)；

步驟5、去除蝕刻后的光阻圖案(551)，在所述有源層(40)、源極(51)、漏極(52)、及柵極絕緣層(30)上沉積第一鈍化層(60)，在所述第一鈍化層(60)上沉積平坦層(70)，采用第四道光罩(14)對所述第一鈍化層(60)與平坦層(70)進行圖形化處理，在所述第一鈍化層(60)與平坦層(70)上形成對應于所述漏極(52)上方的第一過孔(71)；

步驟6、在所述平坦層(70)上沉積第一透明導電膜層(75)，采用第五道光罩(15)對所述第一透明導電膜層(75)進行圖形化處理，得到公用電極(80)；

步驟7、在所述公用電極(80)與平坦層(70)上沉積第二鈍化層(90)，采用第六道光罩(16)對所述第二鈍化層(90)進行圖形化處理，在所述第二鈍化層(90)上形成對應于所述漏極(52)上方且位于第一過孔(71)內的第二過孔(92)；

步驟8、在所述第二鈍化層(90)上沉積第二透明導電膜層(95)，采用第七道光罩(17)對所述第二透明導電膜層(95)進行圖形化處理，得到像素電極(91)，所述像素電極(91)經由所述第二過孔(92)與所述漏極(52)相連接。

2.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，在所述柵極絕緣層(30)上形成半導體層(35)的步驟包括：在所述柵極絕緣層(30)上沉積非晶硅層，采用結晶制程將非晶硅層轉化為多晶硅層，所述多晶硅層即為半導體層(35)。

3.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟3中，對所述半導體圖案(35’)進行N型離子重摻雜處理，所述N型離子為磷離子；所述步驟4中，對所述有源層(40)的兩端進行N型離子輕摻雜處理，所述N型離子為磷離子。

4.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源極(51)及漏極(52)中的摻雜離子濃度為1×10¹⁴～8×10¹⁵ions/cm³，所述離子輕摻雜半導體層(42)中的摻雜離子濃度為5×10¹²～9×10¹³ions/cm³。

5.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述襯底基板(10)為玻璃基板；所述柵極(20)的材料包括鉬、鋁、銅、鈦、鎢、及以上金屬的合金中的至少一種；所述第一鈍化層(60)與第二鈍化層(90)分別為氮化硅層或者氮化硅層與氧化硅層的疊層復合層；所述平坦層(70)的材料為透明有機絕緣材料；所述公用電極(80)與像素電極(91)的材料均為氧化銦錫。