[發明專利]TFT基板及其制作方法有效
| 申請號: | 201710067453.X | 申請日: | 2017-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN106847743B | 公開(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發明(設計)人: | 劉元甫 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 44265 深圳市德力知識產權代理事務所 | 代理人: | 林才桂;聞盼盼 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft 及其 制作方法 | ||
本發明提供一種TFT基板及其制作方法。本發明的TFT基板的制作方法,采用頂柵極結構制作TFT基板,整個制程使用七道光罩完成,與現有技術相比,有效減少光罩的使用數量,簡化TFT基板的制作流程,同時有效提升產品良率,提高產能;通過一次離子摻雜工藝同時實現離子重摻雜制程與離子輕摻雜制程,可節約生產成本;通過采用離子重摻雜半導體圖案的兩端形成源極與漏極,不僅可以減少工藝流程,而且制得的源極與漏極無需經過層間介電層的過孔與有源層兩端接觸,可有效降低接觸電阻,提高產品良率。本發明的TFT基板,采用頂柵極結構,整個TFT基板使用七道光罩即可制作完成,與現有技術相比,光罩的使用數量較少,TFT基板的制作流程簡單,且產品良率與產能較高。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種TFT基板及其制作方法。
背景技術
隨著顯示技術的發展,液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點,而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品,成為顯示裝置中的主流。
現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器,其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子,兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線,通過通電與否來控制液晶分子改變方向,將背光模組的光線折射出來產生畫面。
通常液晶顯示面板由彩膜(CF,Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT,Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成,其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅動IC與印刷電路板壓合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的運動;中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶;后段模組組裝制程主要是驅動IC壓合與印刷電路板的整合,進而驅動液晶分子轉動,顯示圖像。
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器,也稱為有機電致發光顯示器,是一種新興的平板顯示裝置,由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發光亮度高、工作溫度適應范圍廣、體積輕薄、響應速度快,而且易于實現彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現和集成電路驅動器相匹配、易于實現柔性顯示等優點,因而具有廣闊的應用前景。
OLED通常包括:基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發光層、設于發光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層、及設于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發光原理為半導體材料和有機發光材料在電場驅動下,通過載流子注入和復合導致發光。具體的,OLED顯示器件通常采用ITO(Indium Tin Oxides,氧化銦錫)像素電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極,在一定電壓驅動下,電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層,電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發光層,并在發光層中相遇,形成激子并使發光分子激發,后者經過輻射弛豫而發出可見光。
OLED按照驅動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)兩大類,即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中,AMOLED具有呈陣列式排布的像素,屬于主動顯示類型,發光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





