[發明專利]TFT基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201710067453.X
• 申請日: 2017-02-07
• 公開（公告）號: CN106847743B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: 劉元甫
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識產權代理事務所
• 代理人: 林才桂;聞盼盼

1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上沉積遮光薄膜(15)，采用第一道光罩(11)對所述遮光薄膜(15)進行圖形化處理，得到遮光層(20)；

步驟2、在所述遮光層(20)與襯底基板(10)上沉積緩沖層(30)，在所述緩沖層(30)上形成半導體層(35)，采用第二道光罩(12)對所述半導體層(35)進行圖形化處理，得到半導體圖案(35’)；

步驟3、在所述半導體圖案(35’)、及緩沖層(30)上依次沉積柵極絕緣層(60)與柵極導電薄膜(65)，采用第三道光罩(13)對所述柵極絕緣層(60)與柵極導電薄膜(65)進行曝光、顯影、及蝕刻處理；

所述柵極導電薄膜(65)經過蝕刻處理后形成與半導體圖案(35’)中間區域相對應的柵極(67)，所述柵極(67)的縱剖面呈梯形；

所述柵極絕緣層(60)經過蝕刻處理后形成第一柵極絕緣層(61)與設于所述第一柵極絕緣層(61)上的第二柵極絕緣層(62)，所述第一柵極絕緣層(61)覆蓋所述半導體圖案(35’)及緩沖層(30)，所述第二柵極絕緣層(62)與所述柵極(67)相對應；

步驟4、對所述柵極(67)進行蝕刻處理，減薄所述柵極(67)的厚度，從而暴露出所述第二柵極絕緣層(62)的兩端；

以蝕刻后的柵極(67)與第二柵極絕緣層(62)為掩膜板，對所述半導體圖案(35’)進行離子摻雜；

所述半導體圖案(35’)的兩端沒有被柵極(67)與第二柵極絕緣層(62)遮蓋，受到離子重摻雜，形成源極(51)與漏極(52)；

所述半導體圖案(35’)的中間區域中沒有被柵極(67)遮蓋但是被第二柵極絕緣層(62)的兩端遮蓋的部分受到離子輕摻雜，形成離子輕摻雜半導體層(42)，所述半導體圖案(35’)的中間區域中同時被柵極(67)與第二柵極絕緣層(62)遮蓋的部分未受到離子摻雜，形成溝道區半導體層(41)，從而形成包括所述溝道區半導體層(41)及離子輕摻雜半導體層(42)的有源層(40)；

步驟5、在所述柵極(67)、第一柵極絕緣層(61)、及第二柵極絕緣層(62)上沉積第一鈍化層(69)，在所述第一鈍化層(69)上沉積平坦層(70)，采用第四道光罩(14)對所述第一柵極絕緣層(61)、第一鈍化層(69)與平坦層(70)進行圖形化處理，在所述第一柵極絕緣層(61)、第一鈍化層(69)與平坦層(70)上形成對應于所述漏極(52)上方的第一過孔(71)；

步驟6、在所述平坦層(70)上沉積第一透明導電膜層(75)，采用第五道光罩(15)對所述第一透明導電膜層(75)進行圖形化處理，得到公用電極(80)；

步驟7、在所述公用電極(80)與平坦層(70)上沉積第二鈍化層(90)，采用第六道光罩(16)對所述第二鈍化層(90)進行圖形化處理，在所述第二鈍化層(90)上形成對應于所述漏極(52)上方且位于第一過孔(71)內的第二過孔(92)；

步驟8、在所述第二鈍化層(90)上沉積第二透明導電膜層(95)，采用第七道光罩(17)對所述第二透明導電膜層(95)進行圖形化處理，得到像素電極(91)，所述像素電極(91)經由所述第二過孔(92)與所述漏極(52)相連接。

2.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，在所述緩沖層(30)上形成半導體層(35)的步驟包括：在所述緩沖層(30)上沉積非晶硅層，采用結晶制程將非晶硅層轉化為多晶硅層，所述多晶硅層即為半導體層(35)。

3.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟4中，對所述半導體圖案(35’)進行N型離子摻雜，所述N型離子為磷離子。

4.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源極(51)、及漏極(52)中的重摻雜離子濃度為1×10¹⁴～8×10¹⁵ions/cm³，所述離子輕摻雜半導體層(42)中的摻雜離子濃度為5×10¹²～9×10¹³ions/cm³。