[發(fā)明專利]薄膜晶體管及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710067059.6
• 申請(qǐng)日: 2017-02-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106876407B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田金鵬;張毅先;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管的制備方法，包括如下步驟：在基板上形成有源層；在形成有有源層的基板上形成柵極絕緣層；對(duì)柵極絕緣層進(jìn)行圖形化，以形成垂直于基板的第一刻蝕槽及第二刻蝕槽；在柵極絕緣層上形成金屬層，且金屬層覆蓋第一刻蝕槽及第二刻蝕槽；對(duì)金屬層進(jìn)行圖形化，第一電極及第二電極形成存儲(chǔ)電容器；在柵極絕緣層、柵極及存儲(chǔ)電容器上形成層間絕緣層；在層間絕緣層上形成源極及漏極，源極及漏極分別與有源層連接。上述薄膜晶體管的制備方法，制備工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)效率較高。而且，第一電極與第二電極在垂直于基板的方向形成，可以減少光被電極遮擋的可能性，增加薄膜晶體管的開(kāi)口率，增加薄膜晶體管的存儲(chǔ)電容器的容量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管及制備方法。

背景技術(shù)

AMOLED，即主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active-Matrix Organic Light EmittingDiode)，因?yàn)榫邆鋸V色域、高對(duì)比度、輕薄、能耗低等特點(diǎn)，已經(jīng)受到廣泛的運(yùn)用，被譽(yù)為下一代顯示技術(shù)。

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD已經(jīng)成為最為常見(jiàn)的顯示裝置。在AMOLED液晶顯示器中，每個(gè)子像素都配置有一個(gè)薄膜晶體管，使得每一個(gè)子像素可以獨(dú)立的運(yùn)作，且不易受到其他子像素的影響。

薄膜晶體管上一般都包括存儲(chǔ)電容器。存儲(chǔ)電容器包括平行設(shè)置的第一電極及第二電極。目前，在薄膜晶體管的制備過(guò)程中，存儲(chǔ)電容器的第一電極在柵極的制作過(guò)程中同時(shí)制備，該第一電極與柵極位于同一層中。然后，在柵極及電極層上形成絕緣層，然后再在絕緣層上與第一電極相對(duì)的地方形成第二電極。但是這種制備方法較繁瑣，步驟較多，生產(chǎn)效率較低。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)上述問(wèn)題，提供一種薄膜晶體管及制備方法，以降低成本，同時(shí)提高薄膜晶體管的開(kāi)口率。

一種薄膜晶體管的制備方法，包括如下步驟：

在基板上形成有源層；

在形成有所述有源層的所述基板上形成柵極絕緣層；

對(duì)所述柵極絕緣層進(jìn)行圖形化，以形成垂直于所述基板的第一刻蝕槽及第二刻蝕槽；

在所述柵極絕緣層上形成金屬層，且所述金屬層覆蓋所述第一刻蝕槽及所述第二刻蝕槽；

對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖形化，以形成柵極、第一電極及第二電極，所述第一電極位于所述第一刻蝕槽內(nèi)，所述第二電極位于所述第二刻蝕槽內(nèi)，所述第一電極及所述第二電極形成存儲(chǔ)電容器；

在所述柵極絕緣層、所述柵極及所述存儲(chǔ)電容器上形成層間絕緣層；

在所述層間絕緣層上形成源極及漏極，所述源極及所述漏極分別與所述有源層連接；

其中，在對(duì)所述柵極絕緣層進(jìn)行圖形化的步驟中，還包括在所述柵極絕緣層上與所述柵極對(duì)應(yīng)的位置形成第三刻蝕槽，所述第三刻蝕槽與所述基板垂直，以使柵極在第三刻蝕槽內(nèi)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一刻蝕槽、所述第二刻蝕槽及所述第三刻蝕槽的深度相同。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述柵極絕緣層的厚度為1500nm～2000nm。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，在形成有所述有源層的基板上形成柵極絕緣層，包括如下步驟：

在形成有所述有源層的基板上形成氧化硅層；

在所述氧化硅層上形成氮化硅層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化硅層的厚度小于所述氮化硅層的厚度。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一刻蝕槽及所述第二刻蝕槽的深度等于氮化硅層的厚度。