[發明專利]薄膜晶體管及制備方法

有效

• 申請號: 201710067059.6
• 申請日: 2017-02-07
• 公開（公告）號: CN106876407B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發明（設計）人: 田金鵬;張毅先;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上形成有源層；

在形成有所述有源層的所述基板上形成柵極絕緣層；

對所述柵極絕緣層進行圖形化，以形成垂直于所述基板的第一刻蝕槽及第二刻蝕槽；

在所述柵極絕緣層上形成金屬層，且所述金屬層覆蓋所述第一刻蝕槽及所述第二刻蝕槽；

對所述金屬層進行圖形化，以形成柵極、第一電極及第二電極，所述第一電極位于所述第一刻蝕槽內，所述第二電極位于所述第二刻蝕槽內，所述第一電極及所述第二電極形成存儲電容器；

在所述柵極絕緣層、所述柵極及所述存儲電容器上形成層間絕緣層；

在所述層間絕緣層上形成源極及漏極，所述源極及所述漏極分別與所述有源層連接；

其中，在對所述柵極絕緣層進行圖形化的步驟中，還包括在所述柵極絕緣層上與所述柵極對應的位置形成第三刻蝕槽，所述第三刻蝕槽與所述基板垂直，以使柵極在第三刻蝕槽內。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一刻蝕槽、所述第二刻蝕槽及所述第三刻蝕槽的深度相同。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述柵極絕緣層的厚度為1500nm～2000nm。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在形成有所述有源層的基板上形成柵極絕緣層，包括如下步驟：

在形成有所述有源層的基板上形成氧化硅層；

在所述氧化硅層上形成氮化硅層。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述氧化硅層的厚度小于所述氮化硅層的厚度。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一刻蝕槽及所述第二刻蝕槽的深度等于氮化硅層的厚度。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一刻蝕槽與所述第二刻蝕槽之間的間距為100nm～400nm。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，采用干法刻蝕對所述柵極絕緣層進行圖形化。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在基板上形成有源層，包括如下步驟：

在所述基板上形成多晶硅層；

對所述多晶硅層進行圖形化，形成所述有源層。

10.一種薄膜晶體管，其特征在于，其采用權利要求1～9中任一所述的薄膜晶體管的制備方法制備。