[發(fā)明專利]相移底板掩模和光掩模

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710066943.8
• 申請日: 2017-02-07
• 公開（公告）號: CN107203091B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 南基守;申澈;李鐘華;徐成旼;金世民
• 申請（專利權(quán)）人: 思而施技術(shù)株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/26
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 樊曉煥;張?zhí)焓?/td>

1.一種相移底板掩模，其包括在透明襯底上形成的相移膜，

所述相移膜包括至少具有兩層或更多層的多層膜，并且包括金屬硅化物化合物，該金屬硅化物化合物含有氧(O)、氮(N)和碳(C)中的至少一者，

其中隨著從頂部朝向所述透明襯底進(jìn)一步向下，構(gòu)成所述相移膜的所述膜的氮(N)含量增加，并且所述多層膜的每層都包含2at％到30at％的鉬(Mo)、20at％到70at％的硅(Si)、5at％到40at％的氮(N)、0到30at％的氧(O)和0到30at％的碳(C)，

其中構(gòu)成所述相移膜的所述膜中的頂層膜具有最高的氧含量，并且構(gòu)成所述相移膜的所述膜中的頂層膜的碳(C)含量高于布置在下方的所述膜，并且

其中隨著從所述透明襯底進(jìn)一步向上，構(gòu)成所述相移膜的所述膜相對于一種蝕刻劑的蝕刻速度降低，并且其中隨著從頂部朝向所述透明襯底進(jìn)一步向下，構(gòu)成所述相移膜的所述膜的碳(C)含量降低。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移底板掩模，其中相對于具有對應(yīng)于i-線(365nm)、h-線(405nm)和g-線(436nm)的多個(gè)波長的曝光光，所述相移膜具有不高于35％的反射率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相移底板掩模，其中所述相移膜的膜由相對于一種蝕刻劑進(jìn)行蝕刻并且成分彼此不同的材料組成，并且成分不同的所述膜中的每個(gè)堆疊一次或多次。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移底板掩模，其中構(gòu)成所述相移膜的所述膜中的每個(gè)形成單層或連續(xù)膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相對于具有對應(yīng)于i-線、h-線和g-線的多個(gè)波長的曝光光，所述相移膜具有1％到40％的透射率。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相對于具有對應(yīng)于i-線、h-線和g-線的多個(gè)波長的曝光光，所述相移膜具有不高于10％的透射率偏差。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相對于具有對應(yīng)于i-線、h-線和g-線的多個(gè)波長的曝光光，所述相移膜具有160°到200°的相移度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相對于具有對應(yīng)于i-線、h-線和g-線的多個(gè)波長的曝光光，所述相移膜具有不高于40°的相移度偏差。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相移底板掩模，其中所述相移膜在400nm到900nm范圍內(nèi)的波長中的一定波長處具有最低反射率。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相移底板掩模，其中所述相移膜具有到的厚度，并且構(gòu)成所述相移膜的所述膜中的每個(gè)具有到的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相移底板掩模，其中所述金屬硅化物化合物膜由硅(Si)和從下列選擇的一個(gè)或多個(gè)金屬組成：鋁(Al)、鈷(Co)、鎢(W)、鉬(Mo)、釩(V)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鎘(Cd)、鋯(Zr)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、釔(Y)、硫(S)、銦(In)、錫(Sn)、硼(B)、鈹(Be)、鈉(Na)、鉭(Ta)、鉿(Hf)和鈮(Nb)，或者包括由所述金屬硅化物和在氮(N)、氧(O)、碳(C)、硼(B)和氫(H)中選擇的一個(gè)或多個(gè)輕元素組成的化合物。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相移底板掩模，其進(jìn)一步包括布置在所述相移膜上的光屏蔽膜或者一層或多層金屬膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的相移底板掩模，其中所述金屬膜包括半透反射膜、蝕刻停止膜和蝕刻掩模膜中的一個(gè)。