[發(fā)明專利]相移底板掩模和光掩模

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710066943.8
• 申請日: 2017-02-07
• 公開（公告）號: CN107203091B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 南基守;申澈;李鐘華;徐成旼;金世民
• 申請（專利權(quán)）人: 思而施技術(shù)株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/26
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 樊曉煥;張?zhí)焓?/td>

公開一種相移底板掩模和光掩模，其中相移膜形成為至少兩個或更多層的多層膜或者連續(xù)膜，所述相移膜的膜由可以相對于一種蝕刻劑進(jìn)行蝕刻并且成分彼此不同的材料組成，而且成分不同的所述膜中的每個堆疊一次或多次。因此，有可能減少所述相移膜的厚度，并且使邊緣處的截面具有陡峭坡度，以使得在所述相移膜被圖案化時相移膜圖案可以具有清晰邊界，從而保證所述相移膜圖案的透射率和相移度的均勻性。另外，有可能改進(jìn)所述相移膜圖案和印刷圖案的精度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種相移底板掩模(blankmask)和光掩模，確切地說，涉及一種可以降低相移膜圖案的反射率并提高印刷圖案的精度的相移底板掩模和光掩模。

背景技術(shù)

在用于制造包括薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)、有機發(fā)光二極管(OLED)、等離子顯示板(PDP)等的平面顯示(FPD)裝置或用于制造半導(dǎo)體集成電路裝置的光刻工藝中，由底板掩模形成的光掩模通常用于轉(zhuǎn)移圖案。

通過在由合成石英玻璃等組成的透明襯底的主表面上形成包括金屬的薄膜，并且隨后在薄膜上形成抗蝕膜來準(zhǔn)備底板掩模。通過將底板掩模的薄膜圖案化來準(zhǔn)備光掩模。此處，薄膜可根據(jù)光學(xué)特性分類為光屏蔽膜、抗反射膜、相移膜、半透明膜、反射膜、硬膜等，并且可由這些薄膜中的兩個或更多薄膜的組合實現(xiàn)。

隨著市場最近需要FPD裝置具有更高質(zhì)量和更高功能，擴展FPD裝置的應(yīng)用領(lǐng)域并且需要高級制造技術(shù)。換言之，F(xiàn)PD裝置的集成密度變得更高，類似于半導(dǎo)體裝置，并且因此FPD裝置被設(shè)計成具有精細(xì)圖案。為了形成此類精細(xì)圖案，需要高圖案分辨率和高精度技術(shù)。

因此，為了提高用于制造FPD裝置的光掩模的精度，已經(jīng)開發(fā)出用于FPD裝置的相移底板掩模和光掩模，包括相位相對于曝光光移動約180°的相移膜，所述曝光甚至在1:1放大曝光裝置中具有i-線(365nm)、h-線(405nm)和g-線(436nm)的多個光譜線(波長)。相移膜是具有含硅化鉬(MoSi)化合物或鉻(Cr)化合物的單層的薄膜。形成在大面積襯底上的薄膜通過濕法蝕刻進(jìn)行圖案化。

圖1是示出傳統(tǒng)相移膜圖案的照片。

參考圖1，含有硅化鉬(MoSi)化合物或鉻(Cr)化合物的單層的相移膜在經(jīng)歷適于大面積襯底的濕法蝕刻時被各向同性地蝕刻，并且因此，相移膜圖案的邊緣處的蝕刻截面具有平緩坡度。

因此，圖案的邊緣處的坡度導(dǎo)致圖案邊緣與其他部分的邊緣之間的透射率和相移度出現(xiàn)差異，從而對相移膜圖案上的線寬的均勻性產(chǎn)生影響。此外，圖案的邊緣處的相移膜的坡度導(dǎo)致相移膜的邊界不清晰，并且因此使得難以形成精細(xì)圖案。

順便說一下，如果在相移膜印刷時從頂層反射的曝光的比例較高，那么由反射造成的干涉波使得難以通過曝光形成精細(xì)圖案。因此，對于曝光光而言，需要低反射率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明用來解決上述問題，并且本發(fā)明的一個目標(biāo)是一種相移底板掩模和光掩模，其中相移膜在厚度上減少并且在邊緣截面處具有陡峭坡度，以具有相移膜圖案的清晰邊界。

本發(fā)明的另一目標(biāo)是提供一種相移底板掩模和光掩模，其中相移膜圖案具有改進(jìn)的截面，以增加相移膜圖案的透射率和相移度的均勻性，并且改進(jìn)相移膜圖案和印刷圖案的線寬的精度和均勻性。

本發(fā)明的又一目標(biāo)是提供一種相移底板掩模和光掩模，其中相移膜的表面的反射率降低，以防止由入射反射光造成的干涉波，從而提高精細(xì)印刷圖案的精度。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種相移底板掩模，其包括在透明襯底上形成的相移膜，所述相移膜包括至少兩個或更多層的多層膜，并且包括由氧(O)、氮(N)和碳(C)中的至少一個組成的金屬硅化物化合物。

相對于具有對應(yīng)于i-線(365nm)、h-線(405nm)和g-線(436nm)的多個波長的曝光光，所述相移膜可具有不高于35％的反射率。