[發明專利]圖像傳感器封裝及其制作方法有效
| 申請號: | 201710066831.2 | 申請日: | 2017-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN107342301B | 公開(公告)日: | 2019-02-22 |
| 發明(設計)人: | 繆佳君;錢胤;林昭弘;陸震偉;戴森·H·戴;張明;李津 | 申請(專利權)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 齊楊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 封裝 及其 制作方法 | ||
本申請案涉及一種圖像傳感器封裝及其制作方法。一種圖像傳感器封裝包含:圖像傳感器,其具有安置于半導體材料中的像素陣列;及透明屏蔽物,其粘附到所述半導體材料。所述像素陣列安置于所述半導體材料與所述透明屏蔽物之間。光阻擋層安置于所述透明屏蔽物的凹入區域中,且所述凹入區域安置于所述透明屏蔽物的被照射側上。所述光阻擋層經安置以防止光從所述透明屏蔽物的邊緣反射脫離而進入所述圖像傳感器中。
技術領域
本發明大體來說涉及圖像傳感器,且特定來說但非排他地,涉及邊緣反射減少。
背景技術
圖像傳感器已變得無所不在。其廣泛地用于數碼靜態相機、蜂窩式電話、安全攝像機以及醫學、汽車及其它應用中。用于制造圖像傳感器的技術一直繼續快速地進展。舉例來說,對較高分辨率及較低功率消耗的需求已促進了這些裝置的進一步小型化及集成。
電子封裝是電氣工程領域中的次學科。封裝是指構建到電子裝置中的保護性特征。微電子封裝必須考慮到保護以免于機械磨損、過多熱、靜電放電及成本以及其它。盡管許多消費性電子器件可使用經受時間考驗的封裝方法,但當前技術水平電子裝置可需要高度專門化封裝以便使裝置恰當地工作。
由于圖像傳感器按比例縮小,因此其封裝必須按比例縮小。然而,封裝的按比例縮小呈現與微電子裝置的按比例縮小類似的問題。新的較小封裝組件可不如較舊的較大組件那般有效地耗散熱,且可由于現代裝置的小型大小而使舊式組裝技術無效。因此,電子封裝需要跟上下伏半導體裝置的進展。
發明內容
在一個方面中,本發明提供一種圖像傳感器封裝。所述圖像傳感器封裝包括:圖像傳感器,其包含安置于半導體材料中的像素陣列;透明屏蔽物,其粘附到所述半導體材料,其中所述像素陣列安置于所述半導體材料與所述透明屏蔽物之間;以及光阻擋層,其安置于所述透明屏蔽物的凹入區域中,其中所述凹入區域安置于所述透明屏蔽物的被照射側上,且其中所述光阻擋層經安置以防止光從所述透明屏蔽物的邊緣反射脫離而進入所述像素陣列中。
在另一方面中,本發明提供一種圖像傳感器封裝。所述圖像傳感器封裝包括:圖像傳感器,其包含安置于半導體材料中的像素陣列;第一透明屏蔽物,其粘附到所述半導體材料,其中所述像素陣列安置于所述半導體材料與所述第一透明屏蔽物之間;第二透明屏蔽物,其中所述第一透明屏蔽物安置于所述像素陣列與所述第二透明屏蔽物之間;以及光阻擋層,其安置于所述第一透明屏蔽物與所述第二透明屏蔽物之間,其中所述光阻擋層經安置以防止光從所述第一透明屏蔽物的邊緣反射脫離而進入所述像素陣列中。
在又一方面中,本發明提供一種圖像傳感器封裝制作方法。所述方法包括:提供包含安置于半導體材料中的像素陣列的圖像傳感器及粘附到所述半導體材料的透明屏蔽物,其中所述像素陣列安置于所述半導體材料與所述透明屏蔽物之間;去除所述透明屏蔽物的部分以在所述透明屏蔽物中形成凹入區域,其中所述透明屏蔽物的橫向邊界延伸超過所述像素陣列的橫向邊界,且其中所述凹入區域安置于所述透明屏蔽物的延伸超過所述像素陣列的所述橫向邊界的部分中;以及用光阻擋層填充所述凹入區域。
在又一方面中,本發明提供一種圖像傳感器封裝制作方法。所述方法包括:提供包含安置于半導體材料中的像素陣列的圖像傳感器及粘附到所述半導體材料的第一透明屏蔽物,其中所述像素陣列安置于所述半導體材料與所述第一透明屏蔽物之間;沉積安置于所述像素陣列的橫向邊緣與所述第一透明屏蔽物的橫向邊緣之間的光阻擋層;以及在所述圖像傳感器封裝上放置第二透明屏蔽物,其中所述光阻擋層安置于所述第一透明屏蔽物與所述第二透明屏蔽物之間。
附圖說明
參考以下各圖描述本發明的非限制性及非窮盡性實施例,其中除非另有規定,否則貫穿各個視圖相似參考編號指代相似部件。
圖1A到1N是根據本發明的教示的圖像傳感器封裝的俯視圖及橫截面圖的圖解說明。
圖2A到2C圖解說明根據本發明的教示的圖像傳感器封裝制作的方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





