[發明專利]垂直連接接口結構、具所述結構的電路板及其制造方法

有效

• 申請號: 201710066115.4
• 申請日: 2017-02-06
• 公開（公告）號: CN108156754B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 李文聰;謝開杰
• 申請（專利權）人: 中華精測科技股份有限公司
• 主分類號: H05K1/11
• 分類號: H05K1/11;H05K1/14;H05K3/36;H05K3/40
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

本發明涉及一種垂直連接接口結構、具所述結構的電路板及其制造方法，通過垂直連接接口結構連接至少一層電路板，以解決電路板的高縱橫比之加工問題，并且解決所述多層電路板之間訊號傳輸路徑較長的問題，同時具有改善電路板的堆棧式結構以及腳位間距轉換之功能。

【技術領域】

本發明涉及一種電路板，特別是涉及一種垂直連接接口結構、具所述結構的電路板及其制造方法，電路板例如是印刷電路板，但不限于此。

【背景技術】

隨著電子產品朝向精密化與多功能化發展，在電子產品內的集成電路之芯片結構趨于復雜，而且所述芯片結構的操作頻率也大幅提高，以用于更高頻率波段的電子產品領域。由于受測芯片的尺寸日益縮減，其腳位的間距也一起縮小，故測試所述芯片電氣特性所使用的電路板之貫孔間距(pitch)將會減小，即貫孔的鉆孔孔徑也必須縮小。但是所述電路板由于多個材質層以一次壓合方式而形成的多層電路板，造成了較高的縱橫比結構，導致鉆孔加工困難。如圖1所示現有技術之電路板連接接口的示意圖。在多層電路板10中，貫通孔12連接上表面14a與下表面14b的導電圖案16，貫通孔12的縱向高度H遠大于兩個導電圖案16之間的橫向間距P，即形成較高的縱橫比之結構，不易對貫通孔12進行鉆孔加工。

為解決上述問題，現有技術提出一種多壓或是增層結構，如圖2所示之另一種電路板連接接口的多壓結構11，第一貫通孔12a連接上表面14a的第一導電圖案16a，第二貫通孔12b連接下表面14b的第一導電圖案16a與上表面14a的第二導電圖案16b，并且第一貫通孔12a的另一端部連接第二貫通孔12b中間區域，形成一延伸區段18以及一多余區段(stub)20，雖然此種方式可縮減縱橫比，即圖2的H與P之比值小于圖1的H與P之比值，但是當訊號在第一貫通孔12a的上表面14a之第一導電圖案16a與第二貫通孔12b的下表面14b之第二導電圖案16b之間進行傳輸時，所述延伸區段18形成訊號傳輸路徑較長，訊號傳輸的損失較為嚴重，且多余區段(stub)20會因所述貫通孔的深淺，而影響不同頻率的訊號傳輸，綜合以上問題導致訊號的傳輸質量變差。因此需要提出一種新式的接口結構，以解決上述之問題。

【發明內容】

本發明之一目的在于提供一種垂直連接接口結構、具所述結構的電路板及其制造方法，通過垂直連接接口結構連接至少一層電路板，以解決電路板的高縱橫比之加工問題。

本發明之另一目的在于提供一種垂直連接接口結構、具所述結構的電路板及其制造方法，通過垂直連接接口結構連接至少一層電路板，以解決所述多層電路板之間訊號傳輸路徑較長的問題。

本發明之又一目的在于提供一種垂直連接接口結構、具所述結構的電路板及其制造方法，通過垂直連接接口結構連接至少一層電路板，例如一層的軟性電路板以及至少一層的硬性電路板，以改善電路板的堆棧式結構以及腳位間距轉換之問題。

為達成上述目的，本發明之一實施例中垂直連接接口結構的制造方法，用于電路板，包括下列步驟：在一基材上形成一導電層；在所述導電層上形成一光阻層；進行微影制程，以所述光阻層定義一接觸墊圖案，并且曝露一部分的導電層；以所述接觸墊圖案作為蝕刻罩幕，蝕刻曝露的所述導電層，以形成若干導電接觸墊，其中每一所述若干導電接觸墊互相電性絕緣；去除所述光阻層，以暴露所述若干導電接觸墊；在所述若干導電接觸墊上以及所述基材上形成一介電絕緣層，以覆蓋所述若干導電接觸墊；在所述基材中以及所述介電絕緣層中相對于所述若干導電接觸墊的位置分別形成若干開孔，并且在所述基材以及所述介電絕緣層的所述若干開孔曝露出所述導電接觸墊；以及在每一所述若干開孔中形成填入導電材料以形成一導電凸塊組，以使每一所述若干導電接觸墊的兩側表面分別電性連接所述導電凸塊組。

在一實施例中，所述基材為介電絕緣材質。

在一實施例中，在所述若干導電接觸墊上以及所述基材上形成一介電絕緣層以覆蓋所述若干導電接觸墊的步驟中，包括在所述若干導電接觸墊上以及所述基材上貼合一介電絕緣層。

在一實施例中，所述導電凸塊組為導電膏或是導電膠的材質。