[發明專利]一種半導體封裝測試設備零件的鋁合金陽極氧化工藝

在審

• 申請號: 201710065795.8
• 申請日: 2017-02-06
• 公開（公告）號: CN106801243A
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 高小彬;賀賢漢
• 申請（專利權）人: 上海申和熱磁電子有限公司
• 主分類號: C25D11/10
• 分類號: C25D11/10;C25D11/18
• 代理公司: 上海順華專利代理有限責任公司31203
• 代理人: 顧雯

技術領域

本發明屬于半導體封裝測試設備零件鋁合金表面處理工藝技術領域，特別涉及一種半導體封裝測試設備零件的鋁合金陽極氧化工藝。

背景技術

半導體封裝測試設備零件是PGA(Pin Grid Array Package)芯片封裝形式的提供引腳和定位的裝置，在芯片的內外有多個方陣形的插針，每個方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列。根據引腳數目的多少，可以圍成2-5圈。安裝時，將芯片插入專門的PGA插座。為使CPU能夠更方便地安裝和拆卸，從486芯片開始，出現一種名為ZIF的CPU插座，專門用來滿足PGA封裝的CPU在安裝和拆卸上的要求。

ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把這種插座上的扳手輕輕抬起，CPU就可很容易、輕松地插入插座中。然后將扳手壓回原處，利用插座本身的特殊結構生成的擠壓力，將CPU的引腳與插座牢牢地接觸，絕對不存在接觸不良的問題。而拆卸CPU芯片只需將插座的扳手輕輕抬起，則壓力解除，CPU芯片即可輕松取出。

零件在測試過程中會根據產品的結構來調整引腳的數目和排布形狀，整個零件上有將近1000個小孔可以用來裝引腳，有將近65％的小孔，孔與孔之間是需要絕緣的，而且絕緣性能要求較高，表面電阻要求在1.0*109歐姆以上。

目前的陽極氧化工藝做出來的表面電阻值只有0.5-1.0*108歐姆左右，不能滿足產品的使用要求，需要提高產品表面氧化膜的表面電阻。

因此，通過調整改進鋁合金陽極氧化工藝，提高產品表面氧化膜層的表面電阻是非常有必要的，具有良好的行業應用前景。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的不足，提供一種半導體封裝測試設備零件的鋁合金陽極氧化工藝。

本發明的目的通過以下技術方案來實現：

本發明的目的在于提供一種半導體封裝測試設備零件的鋁合金陽極氧化工藝，包括：

S1、脫脂：將零件放入濃度為30g/L-50g/L的脫脂劑中，溫度55℃-65℃，脫脂3min-9min后取出；

S2、第一次水洗：用水反復沖洗零件，沖洗10S～20S后取出；

S3、拋光處理：將零件放入拋光液中進行拋光，溫度90℃-100℃，拋光30S-60S后取出；

S4、第二次水洗：用水反復沖洗零件，沖洗10S～20S后取出；

S5、除灰：將零件放入濃度為140-200ml/L的HNO₃溶液中，室溫下除灰20S～50S；

S6、第三水洗：用水反復沖洗零件，沖洗10S～20S后取出；

S7、草酸陽極氧化：以石墨板作為陰極，將零件放入濃度為40g/L-50g/L草酸溶液的氧化槽內作為陽極，溫度控制在16℃～20℃，接通電源，控制電流密度1.0A/dm²～1.5A/dm²，電壓0-70V，時間75-85min，通過草酸氧化工序控制氧化膜膜層厚度在40～50um；

S8、第四水洗：用水反復沖洗零件，沖洗10S～30S后取出；

S9、超聲波清洗：將零件置于超聲清洗槽中，超聲波頻率40千HZ，超聲波功率10KW，進行5-10min的超聲波清洗；

S10、有機物浸泡：將零件放入濃度為40g/L-60g/L的硬脂酸中，溫度50℃-55℃，浸泡25min-35min；

S11、酒精清洗：將零件放入濃度為75wt％的酒精溶液中，于35℃-45℃清洗20～30S；

S12、純水預熱：將零件放入溫度為65-75℃的去離子水中預熱5-10min；

S13、純水封孔：用去離子水作為封孔液，溫度95℃-100℃，對零件進行封孔處理150-180min；

S14、吹干：將零件表面積水吹干，即得。

進一步的，所述步驟S7的氧化槽內，含有濃度小于20g/L的鋁離子；含有濃度小于50mg/L的鐵離子；含有濃度小于50mg/L的銅離子。

進一步的，所述步驟S7中的草酸陽極氧化：以石墨板作為陰極，將零件放入濃度為45g/L草酸溶液的氧化槽內作為陽極，溫度控制在18℃，接通電源，控制電流密度1.2A/dm²，電壓0～70V，時間80min，通過草酸氧化工序控制氧化膜膜層厚度在40～50um。

進一步的，所述步驟S10有機物浸泡：將零件放入濃度為50g/L的硬脂酸中，溫度52℃，浸泡30min。

與現有技術相比，本發明的積極效果如下：