[發明專利]一種半導體封裝測試設備零件的鋁合金陽極氧化工藝

在審

• 申請號: 201710065795.8
• 申請日: 2017-02-06
• 公開（公告）號: CN106801243A
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 高小彬;賀賢漢
• 申請（專利權）人: 上海申和熱磁電子有限公司
• 主分類號: C25D11/10
• 分類號: C25D11/10;C25D11/18
• 代理公司: 上海順華專利代理有限責任公司31203
• 代理人: 顧雯

1.一種半導體封裝測試設備零件的鋁合金陽極氧化工藝，包括：

S1、脫脂：將零件放入濃度為30g/L-50g/L的脫脂劑中，溫度55℃-65℃，脫脂3min-9min后取出；

S2、第一次水洗：用水反復沖洗零件，沖洗10S～20S后取出；

S3、拋光處理：將零件放入拋光液中進行拋光，溫度90℃-100℃，拋光30S-60S后取出；

S4、第二次水洗：用水反復沖洗零件，沖洗10S～20S后取出；

S5、除灰：將零件放入濃度為140-200ml/L的HNO₃溶液中，室溫下除灰20S～50S；

S6、第三水洗：用水反復沖洗零件，沖洗10S～20S后取出；

S7、草酸陽極氧化：以石墨板作為陰極，將零件放入濃度為40g/L-50g/L草酸溶液的氧化槽內作為陽極，溫度控制在16℃～20℃，接通電源，控制電流密度1.0A/dm²～1.5A/dm²，電壓0-70V，時間75-85min，通過草酸氧化工序控制氧化膜膜層厚度在40～50um；

S8、第四水洗：用水反復沖洗零件，沖洗10S～30S后取出；

S9、超聲波清洗：將零件置于超聲清洗槽中，超聲波頻率40千HZ，超聲波功率10KW，進行5-10min的超聲波清洗；

S10、有機物浸泡：將零件放入濃度為40g/L-60g/L的硬脂酸中，溫度50℃-55℃，浸泡25min-35min；

S11、酒精清洗：將零件放入濃度為75wt％的酒精溶液中，于35℃-45℃清洗20～30S；

S12、純水預熱：將零件放入溫度為65-75℃的去離子水中預熱5-10min；

S13、純水封孔：用去離子水作為封孔液，溫度95℃-100℃，對零件進行封孔處理150-180min；

S14、吹干：將零件表面積水吹干，即得。

2.根據權利要求1所述的一種用于半導體封裝測試設備設備的鋁合金基材的陽極氧化工藝，其特征在于：所述步驟S7的氧化槽內，含有濃度小于20g/L的鋁離子；含有濃度小于50mg/L的鐵離子；含有濃度小于50mg/L的銅離子。

3.根據權利要求1所述的一種用于半導體封裝測試設備設備的鋁合金基材的陽極氧化工藝，其特征在于：所述步驟S7中的草酸陽極氧化：以石墨板作為陰極，將零件放入濃度為45g/L草酸溶液的氧化槽內作為陽極，溫度控制在18℃，接通電源，控制電流密度1.2A/dm²，電壓0～70V，時間80min，通過草酸氧化工序控制氧化膜膜層厚度在40～50um。

4.根據權利要求1所述的一種用于半導體封裝測試設備設備的鋁合金基材的陽極氧化工藝，其特征在于：所述步驟S10有機物浸泡：將零件放入濃度為50g/L的硬脂酸中，溫度52℃，浸泡30min。