[發明專利]制造垂直存儲器裝置的方法有效
| 申請號: | 201710065305.4 | 申請日: | 2017-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN107204341B | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 金基元;金成勛;孫在翼 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/11582 | 分類號: | H01L27/11582;H01L27/11556 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;田野 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 垂直 存儲器 裝置 方法 | ||
1.一種制造垂直存儲器裝置的方法,所述方法包括:
基于每個溝道孔和與其相鄰的隔離區之間的距離、多個溝道孔在布局中的形狀或者所述多個溝道孔在布局中的坐標,將垂直存儲器裝置的布局中的所述多個溝道孔劃分為多種類型;
識別連接到布局中的多條位線中的每條位線的溝道孔的類型;
基于針對每條位線識別的溝道孔的類型,驗證所述多條位線的負載是否均衡;
在驗證到位線的負載均衡時,基于布局制造用于垂直存儲器裝置的蝕刻掩模;以及
通過蝕刻已經應用了蝕刻掩模的多層器件來制造垂直存儲器裝置,其中,
在所制造的垂直存儲器裝置內的位線的負載是均衡的。
2.根據權利要求1所述的方法,所述方法還包括:在劃分之前,測量每個溝道孔與相鄰的隔離區之間的距離。
3.根據權利要求2所述的方法,其中,所述測量的步驟包括基于所述多個溝道孔在布局中的坐標來測量距離。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,隔離區包括字線切割區。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,所述劃分的步驟包括將所述多個溝道孔劃分為相對靠近字線切割區的第一類型的溝道孔和相對遠離字線切割區的第二類型的溝道孔。
6.根據權利要求5所述的方法,其中,識別的步驟包括識別來自連接到每條位線的溝道孔之中的第一類型溝道孔的數量和來自連接到每條位線的溝道孔之中的第二類型溝道孔的數量。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,所述驗證的步驟包括:
針對每條位線比較第一類型溝道孔的數量與第二類型溝道孔的數量;
確定所述多條位線之中第一類型溝道孔的數量等于第二類型溝道孔的數量的位線具有均衡的負載;以及
確定所述多條位線之中第一類型溝道孔的數量不同于第二類型溝道孔的數量的位線具有非均衡的負載。
8.根據權利要求1所述的方法,其中,隔離區包括字線切割區和串選擇線切割區。
9.根據權利要求8所述的方法,其中,所述劃分的步驟包括將所述多個溝道孔劃分為最靠近字線切割區的第一類型溝道孔、第二靠近字線切割區的第二類型溝道孔、最靠近串選擇線切割區的第三類型溝道孔和第二靠近串選擇線切割區的第四類型溝道孔。
10.根據權利要求9所述的方法,其中,所述識別的步驟包括識別來自連接到每條位線的溝道孔之中的第一類型溝道孔的數量、來自連接到每條位線的溝道孔之中的第二類型溝道孔的數量、來自連接到每條位線的溝道孔之中的第三類型溝道孔的數量以及來自連接到每條位線的溝道孔之中的第四類型溝道孔的數量。
11.根據權利要求10所述的方法,其中,所述驗證的步驟包括:
針對每條位線比較第一類型溝道孔至第四類型溝道孔的數量;
確定所述多條位線之中第一類型溝道孔的數量等于第二類型溝道孔的數量、或者第三類型溝道孔的數量等于第四類型溝道孔的數量的位線具有均衡的負載;以及
確定所述多條位線之中第一類型溝道孔的數量不同于第二類型溝道孔的數量、或者第三類型溝道孔的數量不同于第四類型溝道孔的數量的位線具有非均衡的負載。
12.一種制造垂直存儲器裝置的方法,所述方法包括:
將垂直存儲器裝置的布局中的多個溝道孔連接到多條位線中的每條位線的導電線的尺寸進行測量;
基于針對每條位線測量的導電線的尺寸,驗證所述多條位線的負載是否均衡;
在驗證了位線的負載均衡時,基于布局制造用于垂直存儲器裝置的蝕刻掩模;以及
通過蝕刻已經應用了蝕刻掩模的多層器件來制造垂直存儲器裝置,其中
在制造的垂直存儲器裝置內的位線的負載是均衡的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





