[發明專利]等離子體蝕刻的方法

有效

• 申請號: 201710064379.6
• 申請日: 2017-02-04
• 公開（公告）號: CN107039263B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 樸皓用;姜南俊;成德鏞;沈承輔;趙貞賢;崔明善
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01J37/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種等離子體蝕刻的方法，所述方法包括：

在腔室中裝載基板，所述基板包括蝕刻對象，所述腔室包括彼此面對的第一電極和第二電極；以及

蝕刻所述蝕刻對象，蝕刻所述蝕刻對象包括將多個射頻能施加到所述第一電極和所述第二電極中的一個，

所述多個射頻能包括：

第一射頻能，具有在從40MHz至300MHz的范圍內的第一頻率，所述第一射頻能以1kHz的頻率被脈沖調制，

第二射頻能，具有在從100kHz至10MHz的范圍內的第二頻率，所述第二射頻能以1kHz的頻率被脈沖調制，以及

第三射頻能，具有在從10kHz至5MHz的范圍內的第三頻率，所述第三射頻能以1kHz的頻率被脈沖調制，

其中所述第二射頻能和所述第三射頻能被同時脈沖化，所述第二射頻能和所述第三射頻能的初始施加發生在所述第一射頻能的至少一個周期之后以穩定所述離子能量。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一頻率為約60MHz，所述第二頻率為約9.8MHz，并且所述第三頻率為約400kHz。

3.根據權利要求2所述的方法，其中

所述第一電極是下電極，

裝載所述基板包括將所述基板裝載到所述第一電極上，

所述第二電極是上電極，以及

蝕刻所述蝕刻對象包括將所述多個射頻能施加到所述下電極。

4.根據權利要求3所述的方法，其中蝕刻所述蝕刻對象包括：在向所述下電極施加所述第一射頻能之后，向所述下電極施加所述第二射頻能和所述第三射頻能中的至少一個。

5.根據權利要求3所述的方法，其中蝕刻所述蝕刻對象包括同時向所述下電極施加所述第一射頻能至所述第三射頻能。

6.根據權利要求3所述的方法，其中

所述第三射頻能大于所述第一射頻能，以及

所述第三射頻能大于所述第二射頻能。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一射頻能在從0W至10000W的范圍內，所述第二射頻能在從0W至10000W的范圍內，并且所述第三射頻能在從0W至50000W的范圍內。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一射頻能至所述第三射頻能中的至少一個具有與所述第一射頻能至所述第三射頻能中的其它射頻能不同的占空比。

9.根據權利要求3所述的方法，其中蝕刻所述蝕刻對象包括：在所述上電極連接到參考電位時，將所述多個射頻能施加到所述下電極。

10.根據權利要求3所述的方法，其中

蝕刻所述蝕刻對象包括向所述上電極供應上射頻能，以及

所述上射頻能具有在從0MHz至100MHz的范圍內的頻率。

11.根據權利要求1所述的方法，其中

所述多個射頻能還包括第四射頻能，

所述第四射頻能具有大于所述第三頻率且小于所述第二頻率的第四頻率。