[發明專利]等離子體蝕刻的方法

有效

• 申請號: 201710064379.6
• 申請日: 2017-02-04
• 公開（公告）號: CN107039263B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 樸皓用;姜南俊;成德鏞;沈承輔;趙貞賢;崔明善
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01J37/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

本發明公開了一種等離子體蝕刻的方法以及包括該方法的制造半導體器件的方法。等離子體蝕刻的方法包括：將包括蝕刻對象的基板裝載到腔室中的第一電極上，該腔室包括被布置為彼此面對的第一電極和第二電極；以及蝕刻該蝕刻對象。蝕刻該蝕刻對象包括將多個RF能施加到第一電極和第二電極中的一個。該多個RF能可以包括具有在從約40MHz至約300MHz的范圍內的第一頻率的第一RF能、具有在從約100kHz至約10MHz的范圍內的第二頻率的第二RF能、以及具有在從約10kHz至約5MHz的范圍內的第三頻率的第三RF能。

技術領域

發明構思涉及等離子體蝕刻的方法以及使用該方法制造半導體器件的方法。

背景技術

半導體器件由于其緊湊的尺寸、多功能和/或低制造成本而被廣泛地用于電子產業中。半導體器件使用諸如沉積工藝、離子注入工藝、光刻工藝和蝕刻工藝的各種半導體制造工藝來制造。等離子體可以用于執行半導體制造工藝中的一些。由于半導體器件已經被高度集成，所以半導體器件的結構變得更加復雜。特別地，近來已經發展了具有更復雜結構的半導體器件。因此，半導體制造工藝更加復雜，因此增加的制造時間會用于制造半導體器件。

發明內容

發明構思的一些示例實施方式提供一種等離子體蝕刻的方法以及使用該方法制造半導體器件的方法，其能夠容易地形成具有高的高寬比的電路圖案。

發明構思的一些示例實施方式提供一種等離子體蝕刻的方法以及使用該方法制造半導體器件的方法，其能夠有效地控制各種工藝參數。

根據發明構思的一些示例實施方式，一種等離子體蝕刻的方法可以包括：將包括蝕刻對象的基板裝載到腔室中的第一電極上，該腔室包括被布置為彼此面對的第一電極和第二電極；以及蝕刻該蝕刻對象。蝕刻該蝕刻對象包括向第一電極供應具有彼此不同的頻率的多個RF能(RF power)。所述多個RF能可以包括：第一RF能，被配置為在腔室內產生等離子體；第二RF能，被配置為均衡腔室內的等離子體的密度；第三RF能，被配置為使等離子體內的離子入射在基板上；以及第四RF能，被配置為使入射在基板上的離子的離子能量分布均勻。

根據發明構思的一些示例實施方式，一種制造半導體器件的方法可以包括：在基板上形成模制絕緣層；以及對模制絕緣層執行等離子體蝕刻工藝以形成穿過模制絕緣層的至少一部分的蝕刻開口。執行等離子體蝕刻工藝可以包括：將基板裝載到腔室中的第一電極上；以及向第一電極供應具有彼此不同的頻率的多個RF能。所述多個RF能可以包括：第一RF能，被配置為在腔室內產生等離子體；第二RF能，被配置為均衡腔室內的所述等離子體的密度；第三RF能，被配置為使等離子體內的離子入射在基板上；以及第四RF能，被配置為使入射在基板上的離子的離子能量分布均勻。

根據發明構思的一些示例實施方式，一種等離子體蝕刻的方法可以包括：將基板裝載到腔室中，該基板包括蝕刻對象；以及蝕刻該蝕刻對象。蝕刻該蝕刻對象包括將多個RF能施加到第一電極和第二電極中的一個。所述多個RF能可以包括：第一RF能，具有在從約40MHz至約300MHz的范圍內的第一頻率；第二RF能，具有在從約100kHz至約10MHz的范圍內的第二頻率；以及第三RF能，具有在從約10kHz至約5MHz的范圍內的第三頻率。

根據發明構思的一些示例實施方式，一種等離子體蝕刻的方法可以包括：將基板裝載到腔室中的下電極上，該基板包括蝕刻對象，該腔室包括下電極和面對下電極的上電極；以及在腔室中產生等離子體以蝕刻該蝕刻對象。產生等離子體可以包括：將第一源RF能施加到下電極和上電極中的一個；以及在施加第一源RF能之后，施加多個偏置RF能到下電極。所述多個偏置RF能可以包括：第一偏置RF能，具有在從約100kHz至約10MHz的范圍內的頻率；以及第二偏置RF能，具有在從約10kHz至約5MHz的范圍內的頻率。