[發明專利]豎直插入式阻擋腳及伯努利吸盤有效
| 申請號: | 201710062833.4 | 申請日: | 2017-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN108346607B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 劉源;林洋 | 申請(專利權)人: | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 豎直 插入 阻擋 伯努利 吸盤 | ||
本發明提供一種豎直插入式阻擋腳及伯努利吸盤,包括:支撐盤,支撐盤內沿其厚度方向設有通孔,通孔包括第一部分及位于第一部分下方且與第一部分相連通的第二部分;阻擋腳,適于插入至支撐盤的通孔內,阻擋腳包括支撐部及位于支撐部下方且與支撐部的底部相連接的阻擋部;支撐部的寬度大于通孔第二部分的寬度且小于或等于通孔第一部分的寬度;阻擋部的寬度小于或等于通孔第二部分的寬度,且阻擋部沿支撐盤厚度方向的尺寸大于通孔第二部分沿支撐盤厚度方向的高度。豎直插入式阻擋腳由于采用豎直插入式結構,在將其用于伯努利吸盤時,操作安裝方便,不易造成阻擋腳的損壞。
技術領域
本發明屬于半導體設備技術領域,特別是涉及一種豎直插入式阻擋腳及伯努利吸盤。
背景技術
在現有的半導體技術領域,對于外延爐而言,目前一種主流的傳片方式為采用非接觸式的伯努利吸盤進行傳片;請參閱圖1及圖2,伯努利吸盤的主體為石英吸附盤11,所述石英吸附盤11內設有氣體管路12,所述石英吸附盤11的表面設有若干個出氣孔13,當氮氣從出氣孔13噴出時,由于伯努利原理,可將晶圓14從基座上吸附起來,并保持與所述伯努利吸盤之間有一層氣膜。當所述晶圓14在豎直方向被吸氣之后,由于氣流的作用,所述晶圓14會在水平方向滑動;為了阻止所述晶圓14在水平方向上滑動,一般還會在所述伯努利吸盤11外側設置一對石英阻擋腳15以防止所述晶圓14的滑動。所述石英阻擋腳15是由細長的石英棒16連接,并通過水平的所述石英棒16插入到位于所述石英吸附盤11頂部的石英槽17內。
然而,上述伯努利吸盤由于需要通過所述石英棒16將所述石英阻擋腳15水平插入到所述石英槽17內,存在如下問題:1.在安裝所述石英阻擋腳15時,由于所述石英棒16非常脆弱,很容易損壞所述石英棒16。2.由于連接所述石英阻擋腳15的所述石英棒16非常細,而所述伯努利吸盤需要伸入溫度為900℃的反應腔內進行抓片,長期工作在如此高溫條件下,所述石英棒16會存在高溫軟化的現象,軟化后所述石英阻擋腳15無法準確的阻擋水平移動的所述晶圓14,所述晶圓14會有一定的幾率撞到所述石英棒16上,由于撞擊面積過小,使得撞擊力度很大,容易在所述晶圓14表面產生大量的顆粒缺陷(Particle),進而影響所述晶圓14的品質。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種豎直插入式阻擋腳及伯努利吸盤,用于解決現有技術中的的伯努利吸盤由于需要使用較細的石英棒將阻擋腳水平插入到石英槽內而存在的容易損壞石英棒的問題,以及石英棒容易軟化從而使得晶圓撞到石英棒上而在晶圓的表面產生大量的顆粒缺陷的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種豎直插入式阻擋腳,所述豎直插入式阻擋腳包括:支撐盤,所述支撐盤內沿其厚度方向設有通孔,所述通孔包括第一部分及位于所述第一部分下方且與所述第一部分相連通的第二部分;阻擋腳,適于插入至所述支撐盤的所述通孔內,所述阻擋腳包括支撐部及位于所述支撐部下方且與所述支撐部的底部相連接的阻擋部;所述支撐部的寬度大于所述通孔第二部分的寬度且小于或等于所述通孔第一部分的寬度;所述阻擋部的寬度小于或等于所述通孔第二部分的寬度,且所述阻擋部沿所述支撐盤厚度方向的尺寸大于所述通孔第二部分沿所述支撐盤厚度方向的高度。
作為本發明的豎直插入式阻擋腳的一種優選方案,所述通孔第一部分與所述通孔第二部分接觸的表面為傾斜面,所述傾斜面自所述通孔第二部分的邊緣至所述通孔第一部分的邊緣向下傾斜。
作為本發明的豎直插入式阻擋腳的一種優選方案,所述傾斜面相對于所述支撐盤表面的傾斜角度為5°~8°。
作為本發明的豎直插入式阻擋腳的一種優選方案,所述阻擋部的側面為弧形面。
作為本發明的豎直插入式阻擋腳的一種優選方案,所述弧形面的弧度與晶圓邊緣的弧度相同。
作為本發明的豎直插入式阻擋腳的一種優選方案,所述阻擋腳還包括過渡連接部,所述過渡連接部位于所述支撐部與所述阻擋部之間,且所述阻擋部經由所述過渡連接部與所述支撐部相連接。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





