[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、集成電路結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體裝置的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710061617.8
• 申請日: 2017-01-26
• 公開（公告）號: CN107039441B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳芳;丁國強(qiáng);廖忠志;梁銘彰
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;G11C11/412
• 代理公司: 72003 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王芝艷

一種半導(dǎo)體裝置、集成電路結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體裝置的形成方法。上述半導(dǎo)體裝置包括一第一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器陣列以及設(shè)置在上述第一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器陣列之外的一第一邏輯單元。上述第一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器陣列包括多個靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元，其中每一上述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元具有一第一單元高度。上述第一邏輯單元具有上述第一單元高度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開實施例涉及一種半導(dǎo)體裝置，且特別涉及一種具有靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)單元以及邏輯單元的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)通常用于集成電路中。SRAM單元具有能維持?jǐn)?shù)據(jù)而不需要更新(refresh)的優(yōu)點。隨著對集成電路的速度越來越高的要求，SRAM單元的讀取速度和寫入速度也變得更重要。

發(fā)明內(nèi)容

本公開實施例提供一種半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置包括一第一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器陣列以及設(shè)置在上述第一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器陣列之外的一第一邏輯單元。上述第一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器陣列，包括多個靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元，其中每一上述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元具有一第一單元高度。上述第一邏輯單元具有上述第一單元高度。

再者，本公開實施例提供一種集成電路結(jié)構(gòu)。上述集成電路結(jié)構(gòu)包括一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元以及一邏輯單元。上述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元包括一第一數(shù)量的半導(dǎo)體鰭，其中上述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元具有互相平行的一第一邊界以及一第二邊界，以及具有互相平行的一第三邊界以及一第四邊界，其中上述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元具有一第一單元高度，以及上述第一單元高度是從上述第三邊界測量至上述第四邊界而得到。上述邏輯單元包括上述第一數(shù)量的半導(dǎo)體鰭，其中上述邏輯單元具有上述第一單元高度。

再者，本公開實施例提供一種半導(dǎo)體裝置的形成方法。在一第一半導(dǎo)體裝置中形成包括多個靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元的一第一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器陣列。每一上述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元具有一第一數(shù)量的半導(dǎo)體鰭，且具有互相平行的一第一邊界以及一第二邊界，以及具有互相平行的一第三邊界以及一第四邊界，其中上述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元具有一第一單元高度，以及上述第一單元高度是從上述第三邊界測量至上述第四邊界而得到。在上述第一半導(dǎo)體裝置中形成一邏輯單元。上述邏輯單元具有上述第一數(shù)量的半導(dǎo)體鰭以及上述第一單元高度。

附圖說明

圖1顯示根據(jù)本公開一些實施例所述的SRAM單元的電路圖；

圖2顯示SRAM單元的另一電路圖；

圖3顯示SRAM單元以及邏輯單元的多層的剖面示意圖；

圖4顯示根據(jù)部分實施例所公開的SRAM陣列的方塊圖；

圖5A至圖5I顯示根據(jù)部分實施例所述的存儲器單元的布局特征；

圖6顯示根據(jù)一些實施例所述的邏輯單元的電路圖；

圖7顯示根據(jù)一些實施例所述的的邏輯單元的布局；

圖8顯示根據(jù)一些實施例所述的SRAM單元的布局；以及

圖9顯示根據(jù)一些實施例所述的邏輯單元的布局。

附圖標(biāo)記說明：

10、600～SRAM單元；

10A、10B、10C和10D～外邊界；

102、104～正電源供應(yīng)節(jié)點；

106、108～電源供應(yīng)節(jié)點；

110、112～數(shù)據(jù)節(jié)點；

114～位元線；

116～反位元線；

118～位元線節(jié)點；