[發明專利]可耐受靜電放電事件的高壓半導體元件

有效

• 申請號: 201710061090.9
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN108346653B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 邱國卿;洪嘉偉
• 申請（專利權）人: 通嘉科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種高壓半導體元件，可耐受靜電放電事件，包含有：

高壓開關元件，為耗盡型結型場效應晶體管，該高壓開關元件包含有：

重摻雜漏區，形成于一半導體基底上，該半導體基底為一第一型，該重摻雜漏區為與該第一型相反的一第二型；

重摻雜源區，為該第二型，部分地圍繞該重摻雜漏區，該重摻雜源區具有一第一彎曲(arch)部，該第一彎曲部凹向一第一方向；以及

控制極，可控制該重摻雜漏區與該重摻雜源區之間的電連接；

靜電放電防護元件，包含有：

第一重摻雜區，為該第一型，形成于該半導體基底上；以及

第二重摻雜區，為該第一型，部分地圍繞該第一重摻雜區，具有第二彎曲部，凹向一第二方向；

其中，該第一方向相反于該第二方向。

2.如權利要求1所述的該高壓半導體元件，另包含有一第一阱區(well region)，為該第二型，設于該半導體基底，該重摻雜漏區與該第一重摻雜區均位于該第一阱區內。

3.如權利要求2所述的該高壓半導體元件，另包含有一飄移區，為該第二型，其中，該飄移區環繞該第一阱區，且該重摻雜源區位于該飄移區內。

4.如權利要求1所述的該高壓半導體元件，其中，該第一重摻雜區與該重摻雜漏區共同電連接到一接合墊(pad)。

5.如權利要求1所述的該高壓半導體元件，其中，該靜電放電防護元件包含有一雙極性晶體管，且該第一與該第二重摻雜區為該雙極性晶體管的一射極與一集極。

6.如權利要求1所述的該高壓半導體元件，其中，該靜電放電防護元件包含有硅控整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)，且該第一重摻雜區為該硅控整流器的一陽極，該第二重摻雜區為該硅控整流器的一陰極。

7.如權利要求1所述的該高壓半導體元件，其中，該高壓開關元件另包含有第三重摻雜區，為該第一型，包覆該重摻雜源區的一外側。

8.一種高壓半導體元件，可耐受靜電放電事件，包含有：

高壓開關元件，為耗盡型結型場效應晶體管，該高壓開關元件包含有：

重摻雜漏區，形成于一半導體基底中，該半導體基底為一第一型，該重摻雜漏區為與該第一型相反的一第二型；以及

數個第一條狀摻雜區，以一跑道圖案設置，部分地圍繞該重摻雜漏區，該數個第一條狀摻雜區中的一個作為該耗盡型結型場效應晶體管的源極；以及

靜電放電防護元件，形成于該半導體基底上，該靜電放電防護元件包含有：

第一重摻雜區，為該第一型，形成于該半導體基底中，鄰接于該重摻雜漏區；以及

數個第二條狀摻雜區，以另一跑道圖案設置，部分地圍繞該第一重摻雜區；

其中，該第一重摻雜區與該重摻雜漏區一同電連接至一接合墊。

9.如權利要求8所述的該高壓半導體元件，其中，至少該多個第一條狀摻雜區其中之一具有第一彎曲部，其凹向一第一方向，至少該多個第二條狀摻雜區其中之一具有一第二彎曲部，其凹向一第二方向，且該該第一方向與該第二方向相反。