[發(fā)明專利]具有外圍上單元結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件和包括其的存儲(chǔ)器封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710060999.2
• 申請(qǐng)日: 2017-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN108346664B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金昶汎;金成勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H10B41/41
• 分類號(hào): H10B41/41;H10B43/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

本公開提供具有外圍上單元結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件和包括其的存儲(chǔ)器封裝。一種存儲(chǔ)器件包括襯底和設(shè)置在襯底的第一表面上的外圍電路。外圍電路包括第一晶體管。存儲(chǔ)器件還包括設(shè)置在外圍電路上的第一布線層、設(shè)置在第一布線層上的基底層、設(shè)置在基底層上的存儲(chǔ)單元陣列、以及設(shè)置在存儲(chǔ)單元陣列上的第二布線層。第二布線層包括配置為供應(yīng)第一電壓的第一電源布線、配置為供應(yīng)第二電壓的第二電源布線、以及電連接到第一晶體管的第一布線。第一布線配置為可電連接到第一電源布線或第二電源布線。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式總體上涉及存儲(chǔ)器件，更具體地，涉及具有外圍上單元(cell?over?periphery，COP)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件以及包括該存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器封裝。

背景技術(shù)

垂直存儲(chǔ)器件(通常所說(shuō)的三維(3D)存儲(chǔ)器件)是包括重復(fù)堆疊在襯底的表面上的多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器件。這些存儲(chǔ)器件能夠在非常小的結(jié)構(gòu)內(nèi)具有非常高的存儲(chǔ)容量。例如，在垂直存儲(chǔ)器件中，溝道可以從襯底的表面突出或者可以從襯底的表面垂直地延伸，并且圍繞垂直溝道的柵線和絕緣層可以被重復(fù)地堆疊。

然而，垂直存儲(chǔ)器件的尺寸的減小受限制，因?yàn)榇鎯?chǔ)器件必須仍然包括接口以將存儲(chǔ)器件電連接到外圍電路用于與外部設(shè)備通信并由外部設(shè)備驅(qū)動(dòng)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施方式，一種存儲(chǔ)器件包括襯底和設(shè)置在襯底的第一表面上的外圍電路。外圍電路包括第一晶體管。存儲(chǔ)器件還包括設(shè)置在外圍電路上的第一布線層、設(shè)置在第一布線層上的基底層、設(shè)置在基底層上的存儲(chǔ)單元陣列、以及設(shè)置在存儲(chǔ)單元陣列上的第二布線層。第二布線層包括配置為供應(yīng)第一電壓的第一電源布線、配置為供應(yīng)第二電壓的第二電源布線、以及電連接到第一晶體管的第一布線。第一布線配置為可電連接到第一電源布線或第二電源布線。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施方式，一種存儲(chǔ)器封裝包括基底基板和堆疊在基底基板上的多個(gè)存儲(chǔ)芯片。所述多個(gè)存儲(chǔ)芯片的每個(gè)包括襯底和設(shè)置在襯底的第一表面上的外圍電路。外圍電路包括第一晶體管。每個(gè)存儲(chǔ)芯片還包括設(shè)置在外圍電路上的第一布線層、設(shè)置在第一布線層上的基底層、設(shè)置在基底層上的存儲(chǔ)單元陣列、以及設(shè)置在存儲(chǔ)單元陣列上的第二布線層。第二布線層包括配置為供應(yīng)第一電壓的第一電源布線、配置為供應(yīng)第二電壓的第二電源布線、以及電連接到第一晶體管的第一布線。第一布線配置為可電連接到第一電源布線或第二電源布線。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施方式，一種存儲(chǔ)器件包括襯底和設(shè)置在襯底的第一表面上的外圍電路。外圍電路包括第一晶體管和第二晶體管、設(shè)置在外圍電路上的下布線層、設(shè)置在下布線層上的基底層、以及設(shè)置在基底層上的存儲(chǔ)單元陣列。存儲(chǔ)單元陣列包括多個(gè)溝道。存儲(chǔ)器件還包括設(shè)置在存儲(chǔ)單元陣列上的上布線層。上布線層包括至少兩個(gè)電源布線。所述至少兩個(gè)電源布線中的第一電源布線配置為供應(yīng)第一電壓，所述至少兩個(gè)電源布線中的第二電源布線配置為供應(yīng)第二電壓。上布線層還包括電連接到第一晶體管的第一布線。第一布線配置為可電連接到第一電源布線或第二電源布線。上布線層還包括電連接到第二晶體管的第二布線。第二布線配置為可電連接到第一電源布線或第二電源布線。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施方式，本發(fā)明構(gòu)思的以上和其它的特征將變得更加明顯，附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施方式的存儲(chǔ)器件的透視圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施方式的存儲(chǔ)器件的俯視圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施方式的沿圖2的線I-I'截取的剖面圖；

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施方式的可設(shè)置在圖3中的存儲(chǔ)單元區(qū)域中的存儲(chǔ)單元陣列的示例的電路圖；

圖5、圖6、圖7、圖8和圖9是用于描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施方式的制造存儲(chǔ)器件的工藝的剖面圖；

圖10是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施方式的存儲(chǔ)器件的俯視圖；