[發明專利]具有外圍上單元結構的存儲器件和包括其的存儲器封裝

有效

• 申請號: 201710060999.2
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN108346664B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 金昶汎;金成勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H10B41/41
• 分類號: H10B41/41;H10B43/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種存儲器件，包括：

襯底；

外圍電路，設置在所述襯底的第一表面上，其中所述外圍電路包括第一晶體管；

第一布線層，設置在所述外圍電路上；

基底層，設置在所述第一布線層上；

存儲單元陣列，設置在所述基底層上；以及

第二布線層，設置在所述存儲單元陣列上，其中所述第二布線層包括：

第一電源布線，配置為供應第一電壓；

第二電源布線，配置為供應第二電壓；

第一布線，電連接到所述第一晶體管，其中所述第一布線配置為可電連接到所述第一電源布線或所述第二電源布線；以及

第一連接布線，將所述第一布線電連接到所述第一電源布線或所述第二電源布線，

其中所述第一電源布線和所述第二電源布線的每個在第一方向上延伸，并且所述第一電源布線和所述第二電源布線彼此間隔開，

其中所述第一布線設置在所述第一電源布線和所述第二電源布線之間，在所述第一布線通過所述第一連接布線電連接到所述第一電源布線的情況下，所述第一電壓通過所述第一布線供應到所述第一晶體管，以及

在所述第一布線通過所述第一連接布線電連接到所述第二電源布線的情況下，所述第二電壓通過所述第一布線供應到所述第一晶體管。

2.如權利要求1所述的存儲器件，其中所述第一電源布線和所述第二電源布線、所述第一布線和第一連接布線設置在相同的平面上。

3.如權利要求1所述的存儲器件，其中所述第一布線電連接到所述第一晶體管的柵電極。

4.如權利要求3所述的存儲器件，還包括：

第一接觸和第二接觸，穿過包括在所述第一布線層中的絕緣層的一部分設置。

5.如權利要求4所述的存儲器件，其中所述第一接觸將所述第一晶體管的所述柵電極與包括在所述第一布線層中的第二布線電連接，

其中所述第二接觸將所述第一布線與所述第二布線電連接。

6.如權利要求1所述的存儲器件，其中所述外圍電路還包括第二晶體管，

其中所述第二布線層還包括電連接到所述第二晶體管的第二布線，其中所述第二布線配置為可電連接到所述第一電源布線或所述第二電源布線。

7.如權利要求1所述的存儲器件，其中所述外圍電路還包括第二晶體管，

其中所述第二布線層還包括：

第三電源布線，配置為供應所述第一電壓；

第二布線，電連接到所述第二晶體管，所述第二布線配置為可電連接到所述第二電源布線或所述第三電源布線；以及

第二連接布線，將所述第二布線電連接到所述第二電源布線或所述第三電源布線。

8.如權利要求7所述的存儲器件，其中所述第一電源布線、所述第二電源布線和所述第三電源布線的每個在第一方向上延伸，并且所述第一電源布線、所述第二電源布線和所述第三電源布線彼此間隔開，

所述第二布線布置在所述第二電源布線和所述第三電源布線之間。

9.如權利要求1所述的存儲器件，其中所述第一電壓是電源電壓，所述第二電壓是接地電壓。

10.如權利要求1所述的存儲器件，其中所述基底層包括多晶硅或單晶硅。

11.如權利要求10所述的存儲器件，其中所述基底層被劃分成多個基底層圖案，并且所述多個基底層圖案的每個用作p型阱。

12.如權利要求1所述的存儲器件，其中所述存儲單元陣列包括多個垂直NAND閃存單元。

13.如權利要求1所述的存儲器件，其中所述存儲單元陣列包括：

多個溝道，在垂直于所述第一表面的第一方向上延伸；和

多條柵線，圍繞所述溝道的外側壁，所述多條柵線堆疊在所述第一方向上并彼此間隔開。