[發(fā)明專利]存儲器件以及包括該存儲器件的電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710060821.8
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN107026169B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈揆理;高寬協(xié);姜大煥
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11551;G11C16/02;G11C16/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種存儲器件，包括：

提供在基板上的第一電極線層，所述第一電極線層包括在第一方向上延伸并且彼此間隔開的多條第一電極線；

提供在所述第一電極線層上的第二電極線層，所述第二電極線層包括在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并且彼此間隔開的多條第二電極線；

提供在所述第二電極線層上的第三電極線層，所述第三電極線層包括在所述第一方向上延伸并且彼此間隔開的多條第三電極線；

提供在所述第一電極線層和所述第二電極線層之間的第一存儲單元層，所述第一存儲單元層包括布置在所述多條第一電極線與所述多條第二電極線的相應(yīng)交叉處的多個第一存儲單元；

提供在所述第二電極線層和所述第三電極線層之間的第二存儲單元層，所述第二存儲單元層包括布置在所述多條第二電極線與所述多條第三電極線的相應(yīng)交叉處的多個第二存儲單元；

第一間隔物，覆蓋所述多個第一存儲單元的每個的側(cè)表面；以及

第二間隔物，覆蓋所述多個第二存儲單元的每個的側(cè)表面，

其中所述多個第一存儲單元和所述多個第二存儲單元的每個包括在向上方向或向下方向上堆疊的選擇器件、電極和可變電阻圖案，并且

所述第一間隔物具有不同于所述第二間隔物的厚度的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述第一間隔物和所述第二間隔物的每個的厚度是在垂直于所述可變電阻圖案的側(cè)表面的方向上測量的厚度，以及

所述第一間隔物或所述第二間隔物的厚度被調(diào)整以使得所述第一存儲單元和所述第二存儲單元具有基本上相同的電阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器件，其中所述電阻是所述第一存儲單元和所述第二存儲單元的設(shè)置電阻或復(fù)位電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器件，其中被具有大厚度的所述第一間隔物或所述第二間隔物覆蓋的所述第一存儲單元或所述第二存儲單元的設(shè)置電阻基本上與被具有小厚度的所述第二間隔物或所述第一間隔物覆蓋的所述第二存儲單元或所述第一存儲單元的設(shè)置電阻相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述第一存儲單元和所述第二存儲單元的每個包括與所述可變電阻圖案接觸的加熱電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述第一存儲單元和所述第二存儲單元的每個包括與所述選擇器件接觸的下電極，以及

所述選擇器件和所述下電極的側(cè)表面被內(nèi)部間隔物覆蓋。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器件，其中所述第一間隔物和所述第二間隔物的至少一個覆蓋所述內(nèi)部間隔物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述第一間隔物和所述第二間隔物的至少一個具有多層結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述第一間隔物和所述第二間隔物的其中之一包括在所述可變電阻圖案上施加壓應(yīng)力的材料，以及

所述第一間隔物和所述第二間隔物的另一個包括在所述可變電阻圖案上施加張應(yīng)力的材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述第一電極線和所述第三電極線是字線或位線，所述第二電極線是位線或字線。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，還包括：

提供在所述第三電極線層上的至少一個第一上電極線層，所述至少一個第一上電極線層的每個包括在所述第一方向上延伸并且彼此間隔開的多條第一上電極線；

提供在所述至少一個第一上電極線層的對應(yīng)一個上的至少一個第二上電極線層，所述至少一個第二上電極線層的每個包括在所述第二方向上延伸并且彼此間隔開的多條第二上電極線；以及

提供在所述第一上電極線層和所述第二上電極線層之間的至少兩個上存儲單元層，所述至少兩個上存儲單元層的每個包括布置在所述第一上電極線層的所述多條第一上電極線與所述第二上電極線層的所述多條第二上電極線的相應(yīng)交叉處的多個存儲單元。