[發明專利]存儲器件以及包括該存儲器件的電子設備

有效

• 申請號: 201710060821.8
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN107026169B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 沈揆理;高寬協;姜大煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11551;G11C16/02;G11C16/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

本發明構思提供一種存儲器件、包括該存儲器件的電子設備以及制造該存儲器件的方法，在該存儲器件中，存儲單元布置為具有小的電特性變化并從而提高可靠性。在存儲器件中，在不同水平的存儲單元可以用具有不同厚度的間隔物覆蓋，這可以控制存儲單元的電阻特性(例如設置電阻)并且減小存儲單元的電特性的豎直變化。此外，通過調整間隔物的厚度，存儲單元的感測裕度可以增加。

技術領域

本發明構思涉及存儲器件以及制造該存儲器件的方法，更具體地，涉及交叉點堆疊存儲器件以及制造該交叉點堆疊存儲器件的方法。

背景技術

為了滿足對于小且輕的電子產品的日益增加的需求，通常需要高集成的半導體器件。為此，已經提出了在其中存儲單元位于兩個相交的電極的交點處的三維(3D)交叉點堆疊存儲器件。所提出的存儲器件可以為高密度數據存儲提供最小的單元尺寸。然而，由于對于交叉點堆疊存儲器件的按比例縮小的日益增加的需求，可能需要進一步減小存儲器件中每個層的尺寸。在這種情形下，為了獲得存儲器件的期望可靠性，會需要控制存儲單元的電特性的變化。

發明內容

本發明構思提供一種配置為減小存儲單元的電特性的變化并從而提高可靠性的存儲器件、包括該存儲器件的電子設備以及制造該存儲器件的方法。

根據本發明構思的一方面，提供一種存儲器件，該存儲器件包括：提供在基板上的第一電極線層，該第一電極線層包括在第一方向上延伸并且彼此間隔開的多條第一電極線；提供在第一電極線層上的第二電極線層，該第二電極線層包括在不同于第一方向的第二方向上延伸并且彼此間隔開的多條第二電極線；提供在第二電極線層上的第三電極線層，該第三電極線層包括在第一方向上延伸并且彼此間隔開的多條第三電極線；提供在第一和第二電極線層之間的第一存儲單元層，該第一存儲單元層包括布置在所述多條第一電極線和所述多條第二電極線的相應交叉處的多個第一存儲單元；提供在第二和第三電極線層之間的第二存儲單元層，該第二存儲單元層包括布置在所述多條第二電極線與所述多條第三電極線的相應交叉處的多個第二存儲單元；第一間隔物，覆蓋所述多個第一存儲單元的每個的側表面；以及第二間隔物，覆蓋所述多個第二存儲單元的每個的側表面。所述多個第一和第二存儲單元的每個可以包括在向上方向或向下方向上堆疊的選擇器件、電極和可變電阻圖案，并且第一間隔物可以具有不同于第二間隔物的厚度的厚度。

根據本發明構思的另一方面，提供一種存儲器件，該存儲器件包括：提供在基板上的第一電極線層，該第一電極線層包括在第一方向上延伸并且彼此間隔開的多條第一電極線；提供在第一電極線層上的第二電極線層，該第二電極線層包括在不同于第一方向的第二方向上延伸并且彼此間隔開的多條第二電極線；提供在第二電極線層上的第三電極線層，該第三電極線層包括在第一方向上延伸并且彼此間隔開的多條第三電極線；提供在第一和第二電極線層之間的第一存儲單元層，該第一存儲單元層包括布置在所述多條第一電極線與所述多條第二電極線的相應交叉處的多個第一存儲單元；提供在第二和第三電極線層之間的第二存儲單元層，該第二存儲單元層包括布置在所述多條第二電極線與所述多條第三電極線的相應交叉處的多個第二存儲單元；第一間隔物，覆蓋所述多個第一存儲單元的每個的側表面；以及第二間隔物，覆蓋所述多個第二存儲單元的每個的側表面。所述多個第一和第二存儲單元的每個可以包括在向上方向或向下方向上堆疊的選擇器件、電極和可變電阻圖案，第一間隔物和第二間隔物的至少之一可以包括在可變電阻圖案上施加壓應力或張應力的材料。