[發明專利]一種使用諧振法測試超高頻RFID芯片帶封裝阻抗的方法

有效

• 申請號: 201710059811.2
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN106645971B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 黃良輝;陳會軍;陳法波
• 申請（專利權）人: 佛山市瑞福物聯科技有限公司
• 主分類號: G01R27/04
• 分類號: G01R27/04;G01R27/26
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 唐超文;賀紅星

本發明公開了一種使用諧振法測試超高頻RFID芯片阻抗的方法，包括：制作第一線圈、第二線圈，兩種線圈可以先后封裝同樣的超高頻RFID芯片；制作網絡分析儀用第三線圈；利用線圈互感，測試兩個帶芯片的線圈諧振值；利用數據處理，得到超高頻RFID芯片帶封裝阻抗的實部和虛部。相比起采用直接測試的方法，本發明的方法不引入接觸誤差、并且避免了網絡分析儀測試非標準阻抗不準確的問題，本發明廣泛適用于使用諧振法測試超高頻RFID芯片帶封裝阻抗的方法中。

技術領域

本發明屬于電子技術領域，涉及一種測試超高頻RFID芯片帶封裝阻抗的方法，尤其涉及一種使用諧振法測試超高頻RFID芯片帶封裝阻抗的方法。

背景技術

超高頻RFID技術可應用于物流、交通、防偽、服裝等各種行業。相比于傳統的高頻技術，超高頻RFID技術具有讀距離遠，防碰撞功能強的優點。

為了發揮RFID技術讀距離遠的優點，通常超高頻天線的阻抗需要設計為芯片阻抗的共軛。盡管芯片廠商給出了芯片的阻抗值，但是因為超高頻的特點，封裝對芯片的阻抗值影響很大。各種不同的封裝形式，甚至同一種封裝形式不同的生產廠商，都會導致帶封裝芯片的阻抗不同，不等于芯片廠商提供的設計參考值。所以，需要找到測試帶封裝芯片阻抗的方法。

現有技術中，通常采用射頻端口連接到帶封裝芯片兩端的形式測試阻抗，但是這樣做會導致至少兩個問題。首先，芯片的封裝通常尺寸非常小(面積1mm*1mm以內)，連接線通常尺寸會相當大(1cm*1cm級別)，這樣會導致連接線的影響比封裝寄生的影響還大，導致測試失敗。其次，測試超高頻阻抗的設備，比如網絡分析儀，通常只適合測試50歐姆阻抗，偏離50歐姆的阻抗測試不準確，而超高頻RFID芯片的阻抗值通常為20+j200歐姆左右的復阻抗，導致測試失敗。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明特提出一種使用諧振法測試超高頻RFID芯片帶封裝阻抗的方法，它不僅能解決現有技術中存在的問題，還具有其它許多有益效果。

為達到上述目的，本發明采取了以下的技術方案，一種使用諧振法測試超高頻RFID芯片帶封裝阻抗的方法，包含下述步驟：

第一步，制作第一線圈、第二線圈，所述第一線圈、第二線圈可以分別封裝同樣的超高頻

RFID芯片；

第二步，制作第三線圈，所述第三線圈為高自身諧振值線圈，所述第三線圈電連接網絡分

析儀；

第三步，分別利用封裝同樣的超高頻RFID芯片的第一線圈和第二線圈和所述第三線圈互

感，測試兩個帶超高頻RFID芯片的線圈諧振值；

第四步，利用數據處理，可以得到超高頻RFID芯片帶封裝阻抗的實部和虛部。

上述第一線圈的電感值是L₁，所述第二線圈的電感值是L₂，且滿足：L₁L₂。

上述的第三線圈的電感值是L₃的，且滿足：L₁*5L₃L₂/5。

上述的第三線圈的自身諧振值為ω₃＝2πf₃，且滿足：f₃1.2GHz。

上述的第三線圈接所述網絡分析儀的一個端口，所述網絡分析儀設置為測試s參數絕對值的模式；所述封裝同樣的超高頻RFID芯片的第一線圈、第二線圈先后分別靠近所述第三線圈互感時，所述網絡分析儀的s參數絕對值隨之發生改變。

以下對本發明的原理進行說明：