[發明專利]芯片封裝電極結構以及使用該電極的芯片封裝結構在審
| 申請號： | 201710059168.3 | 申請日： | 2017-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN106783784A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 付猛 | 申請（專利權）人： | 東莞市阿甘半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L23/49;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 523808 廣東省東莞市松山湖高新技術產業開發*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 封裝 電極 結構 以及 使用 | ||
【權利要求書】：
1.一種芯片封裝電極結構，包括：
第一導電層，該第一導電層具有第一熱膨脹系數；以及
膨脹抑制層，至少部分地覆蓋該第一導電層并用于抑制該第一導電層的膨脹，該膨脹抑制層具有第二膨脹系數并且該第二膨脹系數小于該第一熱膨脹系數。
2.如權利要求1所述的芯片封裝電極結構，其特征在于該第一膨脹系數的范圍為12×10-6-60×10-6/℃。
3.如權利要求1所述的電極，其特征在于該第二膨脹系數的范圍為0-12×10-6/℃。
4.如權利要求1所述的電極，其特征在于，該膨脹抑制層覆蓋該導電層的整個上表面和/或下表面。
5.如權利要求1所述的電極，其特征在于，該膨脹抑制層覆蓋該導電層的上表面的一部分和/或下表面的一部分。
6.如權利要求3所述的電極，其特征在于，該膨脹抑制層覆蓋該導電層的上表面的周邊和/或下表面的周邊。
7.如權利要求3所述的電極，其特征在于，該膨脹抑制層覆蓋該導電層的上表面的中心和四個角落，和/或覆蓋下表面的中心和四個角落。
8.如權利要求1所述的電極，其特征在于，該第一導電層的材料為銅或含有銅的合金。
9.如權利要求1所述的電極，其特征在于，該膨脹抑制層的材料為金屬化陶瓷、鐵鎳合金、鎢或鉬。
10.一種芯片封裝結構，包括：
芯片；以及
一個或多個與該芯片連接的如權利要求1-9任一項所述的電極，其中芯片與該第一導電層連接。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東莞市阿甘半導體有限公司，未經東莞市阿甘半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710059168.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：包含間隔織物的頭帶
- 下一篇：用于芯片封裝的電極以及使用該電極的芯片封裝結構
