[發明專利]一種半導體器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201710058604.5
• 申請日: 2017-01-23
• 公開（公告）號: CN108346555A
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: 許志穎
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體晶圓，所述半導體晶圓具有多個芯片區域以及位于所述芯片區域之間的預切割道區域；

在所述半導體晶圓正面形成圖形化的鈍化層，所述圖形化的鈍化層具有若干縱橫交叉的溝槽以及被所述溝槽圍繞的鈍化塊，所述溝槽露出部分所述預切割道區域的半導體晶圓表面；

在所述溝槽內形成若干阻擋結構，所述阻擋結構至少與相鄰的兩個所述鈍化塊連接；

在所述鈍化層上形成膠帶；

對所述半導體晶圓進行背面減薄；

去除所述膠帶。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻擋結構與橫向相鄰的兩個所述鈍化塊連接；和/或，

所述阻擋結構與縱向相鄰的兩個所述鈍化塊連接。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻擋結構包括“X”型結構。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述“X”型結構位于兩個所述溝槽的交叉處，并與相鄰的四個所述鈍化塊連接。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖形化的鈍化層與阻擋結構同步形成，形成所述圖形化的鈍化層與阻擋結構的步驟包括：在所述半導體晶圓正面形成鈍化層；蝕刻去除所述預切割道區域上方的大部分鈍化層以形成露出部分所述半導體晶圓表面的溝槽，保留所述預切割道區域上方未刻蝕的鈍化層以形成所述阻擋結構。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述溝槽之前還包括在所述芯片區域上方的鈍化層中形成開口，以露出位于所述芯片區域表面的焊盤的步驟。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述減薄包括對所述半導體晶圓進行背面研磨。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述膠帶包括UV膠帶或熱敏膠帶。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述膠帶之后還包括對所述半導體晶圓進行清洗的步驟。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體晶圓，所述半導體晶圓具有多個芯片區域以及位于所述芯片區域之間的預切割道區域；

所述半導體晶圓正面形成有圖形化的鈍化層，所述圖形化的鈍化層具有若干縱橫交叉的溝槽以及被所述溝槽圍繞的鈍化塊，所述溝槽露出部分所述預切割道區域的半導體晶圓表面；

所述溝槽內形成有若干阻擋結構，所述阻擋結構至少與相鄰的兩個所述鈍化塊連接。

11.如權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述阻擋結構與橫向相鄰的兩個所述鈍化塊連接；和/或，

所述阻擋結構與縱向相鄰的兩個所述鈍化塊連接。

12.如權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述阻擋結構包括“X”型結構。

13.如權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述“X”型結構位于兩個所述溝槽的交叉處，并與相鄰的四個所述鈍化塊連接。

14.如權利要求10至13任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述圖形化的鈍化層與阻擋結構一體成型。