[發明專利]內連線結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201710056223.3
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN108346616B
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 李鴻志;黃旻暄
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

一種內連線結構，包括基底、介電層、第一導電圖案與第二導電圖案。介電層設置于基底上，且具有開口。第一導電圖案設置于開口中。第二導電圖案設置于第一導電圖案上，且暴露出第一導電圖案的露出部分。第一導電圖案的露出部分具有缺口。

技術領域

本發明是有關于一種導電結構及其制造方法，且特別是有關于一種內連線結構及其制造方法。

背景技術

隨著半導體產業的發展，當集成電路的集成度增加，芯片的表面無法提供足夠的面積來制作所需的內連線時，多層的內連線設計便逐漸地成為許多集成電路所必須采用的設計方式。

隨著半導體組件逐漸縮小，多層內連線結構中的上層導電組件與其下方的下層導電組件的重迭裕度(overlay window)也會變小，因此容易發生對準偏差。當多層內連線結構中的上層導電組件與其下方的下層導電組件發生對準偏差時，上層導電組件會暴露出其下方的下層導電組件。如此一來，相鄰的兩個上層導電組件會通過所暴露出的下層導電組件而產生橋接路徑(bridging path)，進而產生電路橋接(circuit bridging)的缺陷。

發明內容

本發明提供一種內連線結構及其制造方法，其可有效地防止產生電路橋接的缺陷。

本發明提出一種內連線結構，包括基底、介電層、第一導電圖案與第二導電圖案。介電層設置于基底上，且具有開口。第一導電圖案設置于開口中。第二導電圖案設置于第一導電圖案上，且暴露出第一導電圖案的露出部分。第一導電圖案的露出部分具有缺口。

依照本發明的一實施例所述，在上述內連線結構中，第一導電圖案的材料例如是W、Ti、TiN、Ta或TaN。

依照本發明的一實施例所述，在上述內連線結構中，第二導電圖案的材料例如是AlCu、Al或W。

依照本發明的一實施例所述，在上述內連線結構中，第二導電圖案的寬度可小于第一導電圖案的寬度，且第一導電圖案的露出部分可位于第二導電圖案的一側或兩側。

依照本發明的一實施例所述，在上述內連線結構中，缺口可暴露出開口的部分側壁。

本發明提出一種內連線結構的制造方法，包括下列步驟。在基底上形成介電層，其中介電層具有開口。在開口中形成第一導電圖案。在第一導電圖案上形成第二導電圖案。第二導電圖案暴露出第一導電圖案的露出部分。在第一導電圖案的露出部分中形成缺口。

依照本發明的一實施例所述，在上述內連線結構的制造方法中，缺口的形成方法例如是以第二導電圖案為掩模，對第一導電圖案的露出部分進行蝕刻工藝，以部分地移除第一導電圖案的露出部分。

依照本發明的一實施例所述，在上述內連線結構的制造方法中，蝕刻工藝所使用的蝕刻氣體包括氯氣與保護氣體。以氯氣與保護氣體的總量計，氯氣的含量例如是50體積％至96體積％。

依照本發明的一實施例所述，在上述內連線結構的制造方法中，保護氣體例如是氮氣(N₂)、三氯化硼(BCl₃)、三氟甲烷(CHF₃)、甲烷(CH₄)或其組合。

依照本發明的一實施例所述，在上述內連線結構的制造方法中，蝕刻氣體還包括惰性氣體。

基于上述，在本發明所提出的內連線結構及其制造方法中，由于第二導電圖案所暴露出的第一導電圖案的露出部分具有缺口，因此可切斷相鄰兩個第二導電圖案之間的橋接路徑。如此一來，本發明所提出的內連線結構及其制造方法可防止產生電路橋接的缺陷，且可有效地增加第二導電圖案與第一導電圖案的重迭裕度。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1D為本發明一實施例的內連線結構的制造流程剖面圖。