[發(fā)明專利]內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710056223.3
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN108346616B
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李鴻志;黃旻暄
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一基底；

一介電層，設(shè)置于該基底上，且具有一開口；

一第一導(dǎo)電圖案，設(shè)置于該開口中；以及

一第二導(dǎo)電圖案，設(shè)置于該第一導(dǎo)電圖案上，且暴露出該第一導(dǎo)電圖案的一露出部分，其中該第一導(dǎo)電圖案的該露出部分具有一缺口；

其中，該第二導(dǎo)電圖案的寬度小于該第一導(dǎo)電圖案的寬度，且該第一導(dǎo)電圖案的該露出部分位于該第二導(dǎo)電圖案的一側(cè)或兩側(cè)，第二導(dǎo)電圖案的底表面高于第一導(dǎo)電圖案頂表面。

2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一導(dǎo)電圖案的材料包括W、Ti、TiN、Ta或TaN。

3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第二導(dǎo)電圖案的材料包括AlCu、Al或W。

4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該缺口暴露出該開口的部分側(cè)壁。

5.一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

在一基底上形成一介電層，其中該介電層具有一開口；

在該開口中形成一第一導(dǎo)電圖案；

在該第一導(dǎo)電圖案上形成一第二導(dǎo)電圖案，其中該第二導(dǎo)電圖案暴露出該第一導(dǎo)電圖案的一露出部分；以及

在該第一導(dǎo)電圖案的該露出部分中形成一缺口；

其中，該第二導(dǎo)電圖案的寬度小于該第一導(dǎo)電圖案的寬度，且該第一導(dǎo)電圖案的該露出部分位于該第二導(dǎo)電圖案的一側(cè)或兩側(cè)，第二導(dǎo)電圖案的底表面高于第一導(dǎo)電圖案頂表面。

6.如權(quán)利要求5所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該缺口的形成方法包括：

以該第二導(dǎo)電圖案為掩模，對該第一導(dǎo)電圖案的該露出部分進行一蝕刻工藝，以部分地移除該第一導(dǎo)電圖案的該露出部分。

7.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該蝕刻工藝所使用的一蝕刻氣體包括一氯氣與一保護氣體，且以該氯氣與該保護氣體的總量計，該氯氣的含量為50體積％至96體積％。

8.如權(quán)利要求7所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該保護氣體包括氮氣、三氯化硼、三氟甲烷、甲烷或其組合。

9.如權(quán)利要求7所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該蝕刻氣體還包括一惰性氣體。