[發(fā)明專利]電子封裝件的制法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710053065.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108305866A | 公開(公告)日: | 2018-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳彥亨;江政嘉;王隆源;王愉博 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/522 | 分類號(hào): | H01L23/522;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電柱 絕緣層 第一線路結(jié)構(gòu) 電子封裝件 線路結(jié)構(gòu) 包覆 制法 封裝層 中介板 移除 制程 | ||
一種電子封裝件的制法,先于第一線路結(jié)構(gòu)上側(cè)形成導(dǎo)電柱及結(jié)合第一電子元件,再以絕緣層包覆該多個(gè)導(dǎo)電柱與該第一電子元件,之后形成第二線路結(jié)構(gòu)于該第一線路結(jié)構(gòu)下側(cè),并設(shè)置第二電子元件于該第二線路結(jié)構(gòu)上,且形成封裝層以包覆該第二電子元件,最后移除部分該絕緣層,以外露該導(dǎo)電柱的部分表面,以通過該導(dǎo)電柱與絕緣層取代現(xiàn)有硅中介板,以節(jié)省制程成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)一種半導(dǎo)體制程,尤指一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法。
背景技術(shù)
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢(shì),其中應(yīng)用于芯片封裝領(lǐng)域的技術(shù)包含有:芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale Package,簡(jiǎn)稱CSP)、芯片直接貼附封裝(Direct Chip Attached,簡(jiǎn)稱DCA)或多芯片模塊封裝(Multi-Chip Module,簡(jiǎn)稱MCM)等覆晶型態(tài)的封裝模塊,或?qū)⑿酒Ⅲw堆疊化整合為三維積體電路(3D IC)芯片堆疊技術(shù)等。
圖1為現(xiàn)有3D IC芯片堆疊的半導(dǎo)體封裝件1的剖面示意圖,其包含有一硅中介板(Through Silicon interposer,簡(jiǎn)稱TSI)10,該硅中介板10具有相對(duì)的置晶側(cè)10a與轉(zhuǎn)接側(cè)10b、及連通該置晶側(cè)10a與轉(zhuǎn)接側(cè)10b的多個(gè)導(dǎo)電硅穿孔(Through-silicon via,簡(jiǎn)稱TSV)100,且該轉(zhuǎn)接側(cè)10b上具有多個(gè)線路重布層(Redistribution layer,簡(jiǎn)稱RDL)101,以將間距較小的半導(dǎo)體芯片19的電極墊190通過多個(gè)焊錫凸塊102電性結(jié)合至該置晶側(cè)10a上,再以底膠192包覆該多個(gè)焊錫凸塊102,且形成封裝膠體18于該硅中介板10上,以覆蓋該半導(dǎo)體芯片19,另于該線路重布層101上通過多個(gè)如凸塊的導(dǎo)電元件103電性結(jié)合間距較大的封裝基板17的焊墊170,并以底膠172包覆該多個(gè)導(dǎo)電元件103。
再者,制作該半導(dǎo)體封裝件1時(shí),先將該半導(dǎo)體芯片19置放于該硅中介板10上,再將該硅中介板10以該多個(gè)導(dǎo)電元件103接置于該封裝基板17上,之后形成該封裝膠體18。
此外,于后續(xù)應(yīng)用該半導(dǎo)體封裝件1的組裝制程時(shí),該半導(dǎo)體封裝件1通過該封裝基板17下側(cè)結(jié)合至一電路板(圖略)上,以利用該多個(gè)導(dǎo)電硅穿孔100作為該半導(dǎo)體芯片19與該電路板之間訊號(hào)傳遞的介質(zhì)。
然而,現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件1的制法中,使用該硅中介板10作為該半導(dǎo)體芯片19與該封裝基板17之間訊號(hào)傳遞的介質(zhì),因需具備一定深寬比的控制(即該導(dǎo)電硅穿孔100的深寬比為100um/10um),才能制作出適用的硅中介板10,因而往往需耗費(fèi)大量制程時(shí)間及化學(xué)藥劑的成本,進(jìn)而提高制程難度及制作成本。
因此,如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題,實(shí)已成目前亟欲解決的課題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失,本發(fā)明提供一種電子封裝件的制法,以節(jié)省制程成本。
本發(fā)明的電子封裝件的制法包括:提供一具有相對(duì)的第一側(cè)及第二側(cè)的第一線路結(jié)構(gòu),且該第一線路結(jié)構(gòu)包含有第一線路層;形成多個(gè)導(dǎo)電柱于該第一線路結(jié)構(gòu)的第一側(cè)上,且于該第一線路結(jié)構(gòu)的第一側(cè)上結(jié)合第一電子元件,其中,該導(dǎo)電柱與該第一電子元件電性連接該第一線路層;形成絕緣層于該第一線路結(jié)構(gòu)的第一側(cè)上,以令該絕緣層包覆該導(dǎo)電柱與該第一電子元件;形成第二線路結(jié)構(gòu)于該第一線路結(jié)構(gòu)的第二側(cè)上,且該第二線路結(jié)構(gòu)包含有電性連接該第一線路層的第二線路層;設(shè)置第二電子元件于該第二線路結(jié)構(gòu)上,且令該電子元件電性連接該第二線路層;形成封裝層于該第二線路結(jié)構(gòu)上,以包覆該第二電子元件;以及移除部分該絕緣層,以外露該導(dǎo)電柱的部分表面。
前述的電子封裝件的制法中,該導(dǎo)電柱的材質(zhì)為焊錫材料或金屬材料。
前述的電子封裝件的制法中,該第一電子元件的部分表面外露于該絕緣層。
前述的電子封裝件的制法中,還包括移除部分該封裝層,以令該第二電子元件的部分表面外露于該封裝層。
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