[發(fā)明專利]一種基于分層結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度建模方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710052765.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106934095B | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂躍廣;石磊;姚博;李小平;劉彥明;朱從瑩;楊敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G06F30/20 | 分類號(hào): | G06F30/20;G06F30/15 |
| 代理公司: | 西安長(zhǎng)和專利代理有限公司 61227 | 代理人: | 黃偉洪 |
| 地址: | 710071 陜西省*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 分層 結(jié)構(gòu) 動(dòng)態(tài) 等離子 電子密度 建模 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種基于分層結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度建模方法,包括;將等離子鞘套分為多層,每層可近似認(rèn)為是均勻的,對(duì)每一層的時(shí)變電子密度分別進(jìn)行建模,最后合成為空?時(shí)電子密度矩陣。本發(fā)明利用經(jīng)典理論建立電子密度變化的動(dòng)態(tài)隨機(jī)過(guò)程,克服了無(wú)法從飛行實(shí)驗(yàn)中獲取數(shù)據(jù)的困難;將等離子體等效為分層結(jié)構(gòu),對(duì)每一層的電子密度分別建模,避免了直接對(duì)空?時(shí)二維電子密度建模的高難度和高復(fù)雜度;對(duì)于不同條件的動(dòng)態(tài)等離子體,可以用統(tǒng)一的建模方法對(duì)其空?時(shí)電子密度進(jìn)行建模;為動(dòng)態(tài)等離體中電磁波傳播和其對(duì)不同體制信號(hào)影響等研究提供理論和數(shù)據(jù)支撐。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于無(wú)線電波傳播技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于分層結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度建模方法。
背景技術(shù)
高超聲速飛行器在飛行過(guò)程中表面會(huì)包覆一層等離子體,稱為等離子鞘套。鞘套中以自由電子為主的帶電粒子將會(huì)吸收、反射和散射電磁波,使得電磁信號(hào)發(fā)生嚴(yán)重衰減;同時(shí)電子密度是快速變化的,這又導(dǎo)致等離子體介電常數(shù)隨時(shí)間快速變化,使得電磁信號(hào)幅度劇烈波動(dòng)。對(duì)等離子鞘套電子密度進(jìn)行建模是研究等離子體中電磁波傳播的基礎(chǔ),對(duì)高超聲速飛行器的測(cè)控通信體制設(shè)計(jì)至關(guān)重要。傳統(tǒng)對(duì)等離子體中電磁波傳播的研究大多是計(jì)算透射系數(shù)的均值,故等離子體模型大多為穩(wěn)態(tài),即電子密度不隨時(shí)間變化。認(rèn)識(shí)到動(dòng)態(tài)等離子體對(duì)電磁波的影響對(duì)通信問(wèn)題的重要性,近年來(lái)國(guó)內(nèi)外的研究對(duì)等離子鞘套模型加入了時(shí)間項(xiàng),但是對(duì)電子密度規(guī)律認(rèn)識(shí)不足,同時(shí)其模型過(guò)于簡(jiǎn)單,空間各處電子密度變化程度和形式被認(rèn)為一致的。實(shí)際上,不同位置的電子密度變化相關(guān)性較小,當(dāng)將等離子鞘套等效為分層模型時(shí),相鄰兩層之間的電子密度變化可近似認(rèn)為獨(dú)立的,且電子密度變化規(guī)律為:概率密度函數(shù)為高斯函數(shù);功率譜為雙高斯曲線;各層變化的標(biāo)準(zhǔn)差分布為雙高斯曲線。針對(duì)電子密度復(fù)雜的空-時(shí)變化,對(duì)其進(jìn)行建模以作為電磁計(jì)算的輸入成為該領(lǐng)域的難點(diǎn)。
綜上所述,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本發(fā)明旨在解決的技術(shù)問(wèn)題是:動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度空時(shí)變化建模。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種基于分層結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度建模方法,旨在解決動(dòng)態(tài)等離子體鞘套空時(shí)電子密度變化難以描述的問(wèn)題。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種基于分層結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度建模方法,所述基于分層結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度建模方法包括以下步驟:
步驟一,將等離子鞘套分為多層,每層可近似認(rèn)為是均勻的;
步驟二,對(duì)每一層的時(shí)變電子密度分別進(jìn)行建模;
步驟三,合成為空-時(shí)電子密度矩陣。
進(jìn)一步,所述基于分層結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度建模方法包括以下步驟:
第一步,生成M×N大小且空間分布服從非對(duì)稱高斯分布的電子密度均值矩陣
其中M為空間劃分的層數(shù),N為時(shí)間序列點(diǎn)數(shù),zm為第m個(gè)空間位置,tn為第n個(gè)時(shí)刻;;
Nepeak為電子密度均值剖面峰值、zpeak為峰值對(duì)應(yīng)位置、zM為鞘套厚度、tN為時(shí)間長(zhǎng)度、a1和a2為非對(duì)稱高斯函數(shù)的形狀參數(shù)建立電子密度均值矩陣:
不同時(shí)刻的電子密度分布相同;
第二步,生成層數(shù)為M且服從非對(duì)稱高斯分布的標(biāo)準(zhǔn)差序列[σ(zm)]=[σ(z1),σ(z2),…,σ(zM)],1≤m≤M:
建立標(biāo)準(zhǔn)差序列,σ(zm)為zm位置處的抖動(dòng)方差:
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